[發明專利]一種納米壓印制備硅基OLED微型顯示器的方法在審
| 申請號: | 202110453532.0 | 申請日: | 2021-04-26 |
| 公開(公告)號: | CN113193157A | 公開(公告)日: | 2021-07-30 |
| 發明(設計)人: | 茆勝 | 申請(專利權)人: | 睿馨(珠海)投資發展有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56;H01L27/32;G03F7/00 |
| 代理公司: | 上海洞鑒知識產權代理事務所(普通合伙) 31346 | 代理人: | 劉少偉 |
| 地址: | 519000 廣東省珠海市橫琴新*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 納米 壓印 制備 oled 微型 顯示器 方法 | ||
本發明涉及一種納米壓印制備硅基OLED微型顯示器的方法,包括一下步驟:在所述基底的表面涂膜光刻膠;將具有特定圖形結構的納米壓印模板以一定的壓力壓在所述光刻膠上,經熱固化或紫外固化后,所述光刻膠上形成與所述模板圖案對應微結構;去除所述基底上的殘余的光刻膠,使所述基底上留有與陽極像素圖形互補的微結構;在所述基底上通過蒸鍍工藝形成陽極層。有益效果是:使用納米壓印技術制備陽極像素陣列,采用預制貼合的方式一次性完成彩色過濾層和玻璃蓋片工藝,在硅基OLED產線上徹底取消了設備投入較大的光刻工藝。本發明提出的技術方的制備工藝更加簡單、生產成本低廉,能有效提高良品率及產能。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其是涉及一種納米壓印制備硅基OLED微型顯示器的方法。
背景技術
硅基OLED微型顯示器,是在半導體CMOS驅動電路上制造的OLED顯示器,不但具備OLED顯示器的優點,同時還具備半導體芯片微型化和高度集成的優點,其尺寸一般在1英寸之下,可實現5000PPI的超高像素密度,相比普通OLED或LCD顯示器(1000PPI),顯示畫面更加細膩逼真;此外,硅基OLED微顯的顯示開口率遠高于普通OLED顯示器,近眼顯示效果更好,不容易察覺到像素顆粒感。因此硅基OLED微型顯示器特別適合應用于近眼顯示,可滿足從軍事、工業到數碼消費領域的各種需求,具有廣闊的市場前景。
但是在現有硅基OLED微型顯示器制備工藝中,陽極像素采用光刻工藝制備,不但需要投入大量的資金購買光刻工藝的相關設備,而且光刻工藝制程復雜,不利于提高良品率。
納米壓印是一種全新圖形轉移技術,可替代傳統光刻技術用于加工微結構,把納米圖形從模板“復制”到基片上。由于不需要曝光顯影工藝,因此具有具有產量高、成本低和工藝簡單的優點。
本發明基于上述問題,提出了一種采用納米壓印技術代替光刻工藝制備硅基OLED微型顯示器件的方法,有利于減少設備投入,簡化工藝制程、提高良品率及產能,有效降低成本。
發明內容
本發明提供一種納米壓印制備硅基OLED微型顯示器的方法,以解決現有技術中的生產成本高、良品率低的問題。
本發明所解決的技術問題采用以下技術方案來實現:
一種納米壓印制備硅基OLED微型顯示器的方法,包括一下步驟:
S1提供一已制備好CMOS驅動電路的基底;
S2在所述基底的表面涂膜光刻膠;
S3將具有特定圖形結構的納米壓印模板以一定的壓力壓在所述光刻膠上,經熱固化或紫外固化后,所述光刻膠上形成與所述模板圖案對應微結構;納米壓印模板是一種具有納米結構的彈性模板,常用的模板材料主要有硅、石英、聚合物等。
S4去除所述基底上的殘余的光刻膠,使所述基底上留有與陽極像素圖形互補的微結構;
S5在所述基底上通過蒸鍍工藝形成陽極層;
S6在所述陽極層上依次蒸鍍多個OLED有機功能層組成的白光OLED結構層,包括空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層;
S7在所述OLED結構層上形成半透金屬明陰極層;
S8在所述陰極層上制備薄膜密封層;
S9在所述薄膜密封層上貼合玻璃蓋板。
在一些實施例中,步驟S2中的所述光刻膠的材料為德國Micro Resist公司的IPNR-T2000納米壓印光刻膠,厚度為300nm。
在一些實施例中,步驟S5中所述陽極層的材料為鋁(Al)材質的金屬材料,或者氧化銦錫(ITO)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)材質的氧化物中的任意一種。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





