[發明專利]一種納米壓印制備硅基OLED微型顯示器的方法

在審

• 申請號: 202110453532.0
• 申請日: 2021-04-26
• 公開（公告）號: CN113193157A
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: 茆勝
• 申請（專利權）人: 睿馨（珠海）投資發展有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L27/32;G03F7/00
• 代理公司: 上海洞鑒知識產權代理事務所(普通合伙) 31346
• 代理人: 劉少偉

1.一種納米壓印制備硅基OLED微型顯示器的方法，其特征在于，包括一下步驟：

S1提供一已制備好CMOS驅動電路的基底；

S2在所述基底的表面涂膜光刻膠；

S3將具有特定圖形結構的納米壓印模板以一定的壓力壓在所述光刻膠上，經熱固化或紫外固化后，所述光刻膠上形成與所述模板圖案對應微結構；

S4去除所述基底上的殘余的光刻膠，使所述基底上留有與陽極像素圖形互補的微結構；

S5在所述基底上通過蒸鍍工藝形成陽極層；

S6在所述陽極層上依次蒸鍍多個OLED有機功能層組成的白光OLED結構層，包括空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層；

S7在所述OLED結構層上形成半透金屬明陰極層；

S8在所述陰極層上制備薄膜密封層；

S9在所述薄膜密封層上貼合玻璃蓋板。

2.根據權利要求1所述的一種納米壓印制備硅基OLED微型顯示器的方法，其特征在于，步驟S2中的所述光刻膠的材料為德國Micro Resist公司的IPNR-T2000納米壓印光刻膠，厚度為300nm。

3.根據權利要求1所述的一種納米壓印制備硅基OLED微型顯示器的方法，其特征在于，步驟S5中所述陽極層的材料為鋁(Al)材質的金屬材料，或者氧化銦錫(ITO)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)材質的氧化物中的任意一種。

4.根據權利要求1所述的一種納米壓印制備硅基OLED微型顯示器的方法，其特征在于，步驟S7中所述陰極層為雙層復合結構，包括金屬層和ITO層。

5.根據權利要求4所述的一種納米壓印制備硅基OLED微型顯示器的方法，其特征在于，所述金屬層通過熱蒸鍍工藝制備而成的。

6.根據權利要求4所述的一種納米壓印制備硅基OLED微型顯示器的方法，其特征在于，所述金屬層的材料包括鎂、銀的混合物，其中所述鎂銀的比例為10:1。

7.根據權利要求4所述的一種納米壓印制備硅基OLED微型顯示器的方法，其特征在于，所述ITO層通過測控濺射工藝制備而成的。

8.根據權利要求1所述的一種納米壓印制備硅基OLED微型顯示器的方法，其特征在于，步驟S9中所述玻璃蓋板上預制有彩色過濾層；

所述過濾層包括紅色過濾層、綠色過濾層和藍色過濾層。

9.根據權利要求8所述的一種納米壓印制備硅基OLED微型顯示器的方法，其特征在于，所述彩色過濾層的貼合對位精度為1um。

10.根據權利要求1所述的一種納米壓印制備硅基OLED微型顯示器的方法，所述密封薄層的材料為Al₂O₃、TiO₂、SiN、SiO₂中的任意一種或者組合，所述密封薄層的厚度為10～20nm。