[發(fā)明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制作方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202110451665.4
• 申請日: 2021-04-26
• 公開（公告）號: CN113192893A
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳曉威;湯永才
• 申請（專利權(quán)）人: 昆山龍騰光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L27/12
• 代理公司: 上海波拓知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31264
• 代理人: 蔡光仟

本發(fā)明提供一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法，該制作方法包括：提供襯底基板，襯底基板包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)；在襯底基板上形成第一金屬層，第一金屬層包括第一走線下段、第二走線下段和第三走線；在第一金屬層上形成第一絕緣層；在第一絕緣層形成第二金屬層，第二金屬層包括第一走線上段；在第二金屬層上形成金屬氧化物半導(dǎo)體層；在氧化物半導(dǎo)體層上形成第二絕緣層；在第二絕緣層形成第三金屬層，第三金屬層包括橋接部和第二走線上段，其中非顯示區(qū)的第一走線下段與橋接部電性連接，第一走線上段與橋接部電性連接。本發(fā)明不僅能夠?qū)崿F(xiàn)窄邊框的設(shè)計，還能夠減少一道絕緣層的制程，降低薄膜晶體管陣列基板的加工成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法。

背景技術(shù)

隨著科技的不斷發(fā)展，顯示技術(shù)也得到了快速的發(fā)展，薄膜晶體管TFT(Thin FilmTransistor)技術(shù)由原來的a-Si(非晶硅)薄膜晶體管發(fā)展到現(xiàn)在的LTPS(低溫多晶硅)薄膜晶體管、Oxide(氧化物)薄膜晶體管等，以金屬氧化物為代表的化合物半導(dǎo)體有源層材料的薄膜晶體管具有遷移率高、制作工藝簡單、大面積均勻性好、制造成本低等優(yōu)點。

如圖1所示，一般地，薄膜晶體管陣列基板包括顯示區(qū)100和非顯示區(qū)200(非顯示區(qū)也稱為外圍區(qū)域綁定區(qū)，即TFT與外部電路進行電連接的位置)，起初薄膜晶體管陣列基板的非顯示區(qū)200設(shè)計為單層金屬架構(gòu)，即非顯示區(qū)200的走線300采用單層金屬架構(gòu)，每條走線300在非顯示區(qū)200內(nèi)依次排列，這樣就會增大非顯示區(qū)200的面積，增寬產(chǎn)品邊框。為了減小產(chǎn)品邊框的大小，實現(xiàn)窄邊框的設(shè)計，遂將薄膜晶體管陣列基板的非顯示區(qū)設(shè)計為三層金屬架構(gòu)。通常地，采用三層金屬架構(gòu)的薄膜晶體管陣列基板在制作過程中會額外增加一道絕緣層的制程，使其加工過程變得繁瑣、復(fù)雜，增加薄膜晶體管陣列基板的加工成本。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法，能夠?qū)崿F(xiàn)窄邊框的設(shè)計，同時減少非顯示區(qū)的外圍走線的三層金屬架構(gòu)制作過程中的一道絕緣層的制程，降低薄膜晶體管陣列基板的加工成本。

本發(fā)明提供一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，所述薄膜晶體管陣列基板具有顯示區(qū)和位于所述顯示區(qū)外圍的非顯示區(qū)，所述制作方法包括：

提供襯底基板；

在所述襯底基板上形成第一金屬層，并對所述第一金屬層進行蝕刻以形成位于所述顯示區(qū)內(nèi)的柵極及位于所述非顯示區(qū)內(nèi)的第一走線下段和第三走線；

在所述襯底基板上形成覆蓋所述柵極、所述第一走線下段和所述第三走線的第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上形成第二金屬層，并對所述第二金屬層進行蝕刻以形成位于所述非顯示區(qū)內(nèi)的第一走線上段；

在所述第一絕緣層上形成覆蓋所述第一走線上段的金屬氧化物半導(dǎo)體層，并對所述金屬氧化物半導(dǎo)體層進行蝕刻以形成位于所述顯示區(qū)內(nèi)的所述柵極的正上方的第一金屬氧化物半導(dǎo)體部及位于所述非顯示區(qū)內(nèi)的所述第一走線上段的正上方的第二金屬氧化物半導(dǎo)體部；

在所述第一絕緣層上形成覆蓋所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體部和所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體部的第二絕緣層；

對所述第二絕緣層進行蝕刻，以在所述非顯示區(qū)內(nèi)對應(yīng)所述第一走線上段的位置形成貫穿所述第二絕緣層的第一通孔，在所述非顯示區(qū)內(nèi)對應(yīng)所述第一走線下段的位置形成貫穿所述第二絕緣層的第一接觸孔，在所述顯示區(qū)內(nèi)對應(yīng)所述柵極的位置形成貫穿所述第二絕緣層的第四通孔和第五通孔，使所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體部的兩端分別經(jīng)由所述第四通孔和所述第五通孔露出，所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體部經(jīng)由所述第一通孔露出；

對所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體部經(jīng)由所述第四通孔和所述第五通孔露出的區(qū)域及所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體部經(jīng)由所述第一通孔露出的區(qū)域進行離子化處理，使所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體部和所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體部各自露出的區(qū)域由半導(dǎo)體轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)體；