[發明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制作方法

在審

• 申請號: 202110451665.4
• 申請日: 2021-04-26
• 公開（公告）號: CN113192893A
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: 陳曉威;湯永才
• 申請（專利權）人: 昆山龍騰光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L27/12
• 代理公司: 上海波拓知識產權代理有限公司 31264
• 代理人: 蔡光仟

1.一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，所述薄膜晶體管陣列基板具有顯示區(10)和位于所述顯示區(10)外圍的非顯示區(20)，其特征在于，所述制作方法包括：

提供襯底基板(11)；

在所述襯底基板(11)上形成第一金屬層(M1)，并對所述第一金屬層(M1)進行蝕刻以形成位于所述顯示區(10)內的柵極(101)及位于所述非顯示區(20)內的第一走線下段(311)和第三走線(33)；

在所述襯底基板(11)上形成覆蓋所述柵極(101)、所述第一走線下段(311)和所述第三走線(33)的第一絕緣層(12)；

在所述第一絕緣層(12)上形成第二金屬層(M2)，并對所述第二金屬層(M2)進行蝕刻以形成位于所述非顯示區(20)內的第一走線上段(312)；

在所述第一絕緣層(12)上形成覆蓋所述第一走線上段(312)的金屬氧化物半導體層(130)，并對所述金屬氧化物半導體層(130)進行蝕刻以形成位于所述顯示區(10)內的所述柵極(101)的正上方的第一金屬氧化物半導體部(131)及位于所述非顯示區(20)內的所述第一走線上段(312)的正上方的第二金屬氧化物半導體部(132)；

在所述第一絕緣層(12)上形成覆蓋所述第一金屬氧化物半導體部(131)和所述第二金屬氧化物半導體部(132)的第二絕緣層(14)；

對所述第二絕緣層(14)進行蝕刻，以在所述非顯示區(20)內對應所述第一走線上段(312)的位置形成貫穿所述第二絕緣層(14)的第一通孔(141)，在所述非顯示區(20)內對應所述第一走線下段(311)的位置形成貫穿所述第二絕緣層(14)的第一接觸孔(142a)，在所述顯示區(10)內對應所述柵極(101)的位置形成貫穿所述第二絕緣層(14)的第四通孔(144)和第五通孔(145)，使所述第一金屬氧化物半導體部(131)的兩端分別經由所述第四通孔(144)和所述第五通孔(145)露出，所述第二金屬氧化物半導體部(132)經由所述第一通孔(141)露出；

對所述第一金屬氧化物半導體部(131)經由所述第四通孔(144)和所述第五通孔(145)露出的區域及所述第二金屬氧化物半導體部(132)經由所述第一通孔(141)露出的區域進行離子化處理，使所述第一金屬氧化物半導體部(131)和所述第二金屬氧化物半導體部(132)各自露出的區域由半導體轉變為導體；

對所述第一絕緣層(12)進行蝕刻，以在所述非顯示區(20)內對應所述第一接觸孔(142a)的位置形成同時貫穿所述第一絕緣層(12)和所述第二絕緣層(14)的第二通孔(142)，使所述第一走線下段(311)經由所述第二通孔(142)露出；

在所述第二絕緣層(14)上形成第三金屬層(M3)，并對所述第三金屬層(M3)進行蝕刻形成位于所述顯示區(10)內的源極(102)和漏極(103)及位于所述非顯示區(20)內的橋接部(313)，其中所述源極(102)填入所述第四通孔(144)中與所述第一金屬氧化物半導體部(131)的一端接觸，所述漏極(103)填入所述第五通孔(145)中與所述第一金屬氧化物半導體部(131)的另一端接觸，所述橋接部(313)的一端填入所述第一通孔(141)中與所述第二金屬氧化物半導體部(132)接觸，所述橋接部(313)的另一端填入所述第二通孔(142)中與所述第一走線下段(311)接觸。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，在對所述第一金屬層(M1)進行蝕刻時還形成位于所述非顯示區(20)內的第二走線下段(321)；

在對所述第二絕緣層(14)進行蝕刻時還在所述非顯示區(20)內對應所述第二走線下段(321)的位置形成貫穿所述第二絕緣層(14)的第二接觸孔(143a)；

在對所述第一絕緣層(12)進行蝕刻時還在所述非顯示區(20)內對應所述第二接觸孔(143a)的位置形成同時貫穿所述第一絕緣層(12)和所述第二絕緣層(12)的第三通孔(143)，使所述第二走線下段(321)經由所述第三通孔(143)露出；

在對所述第三金屬層(M3)進行蝕刻時還形成位于所述非顯示區(20)內的第二走線上段(322)，其中所述第二走線上段(322)填入所述第三通孔(143)中與所述第二走線下段(321)接觸。