[發明專利]一種封裝器件及其制作方法

有效

• 申請號: 202110451128.X
• 申請日: 2021-04-26
• 公開（公告）號: CN112992819B
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發明（設計）人: 成年斌;李程;袁毅凱;詹洪桂;徐衡基;高文健;楊寧
• 申請（專利權）人: 佛山市國星光電股份有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/12;H01L21/50
• 代理公司: 廣東廣盈專利商標事務所(普通合伙) 44339
• 代理人: 李俊

本發明提供了一種封裝器件及其制作方法，該發明涉及半導體器件領域。所述封裝器件包括結構封裝體、第一支架板、第二支架板、彈片和芯片；所述第一支架板的底面和所述第二支架板的底面位于同一平面上；所述芯片位于所述第一支架板的頂面上，所述芯片的底面與所述第一支架板的頂面接觸；所述彈片的頭部與所述第二支架板連接，所述彈片的尾部與所述芯片的頂面接觸；所述第一支架板、第二支架板、所述彈片和所述芯片基于所述結構封裝體封裝，所述第一支架板的底面和所述第二支架板的底面外露于所述結構封裝體。該封裝器件的設計結構可有效提高其散熱能力并增加其使用可靠性。

技術領域

本發明涉及半導體器件領域領域，具體涉及到一種封裝器件及其制作方法。

背景技術

從半導體的斷代法來看，第一代半導體的主要材料為硅和鍺，應用領域主要為資訊產業以及微電子產業；第二代半導體的主要材料為砷化鎵和磷化銦，應用領域主要為通訊產業以及照明產業；第三代半導體則涌現出了例如碳化硅、氮化鎵、氧化鋅等新興材料，應用在更高階的高壓功率器件以及高頻通訊元件領域。

相應的，第三代半導體所帶來的性能的增長，使得微小型器件的發熱情況更為嚴重，器件的散熱能力制約著第三代半導體器件的應用與發展。

發明內容

為了解決現有半導體器件的散熱問題，本發明實施例提供了一種封裝器件及其制作方法，可有效提高其散熱能力并增加其使用可靠性。

相應的，本發明提供了一種封裝器件，所述封裝器件包括結構封裝體、第一支架板、第二支架板、彈片和芯片；

所述第一支架板的底面和所述第二支架板的底面位于同一平面上；

所述芯片位于所述第一支架板的頂面上， 所述芯片的底面與所述第一支架板的頂面接觸；

所述彈片的頭部與所述第二支架板連接，所述彈片的尾部與所述芯片的頂面接觸；

所述第一支架板、第二支架板、所述彈片和所述芯片基于所述結構封裝體封裝，所述第一支架板的底面和所述第二支架板的底面外露于所述結構封裝體。

可選的實施方式，所述芯片具有若干個焊盤，所述若干個焊盤中的任一個焊盤的類型為頂面焊盤或底面焊盤；

在所述芯片具有底面焊盤的條件下，所述底面焊盤鍵合在所述第一支架板上。

可選的實施方式，所述芯片的其中一個所述頂面焊盤與所述彈片鍵合。

可選的實施方式，所述封裝器件還包括若干根引腳，所述若干根引腳中的任一根引腳的類型為一體引腳或分體引腳；

所述一體引腳與所述第一支架板連接一體，所述分體引腳與所述第一支架板分隔設置；

所述若干根引腳中的任一根引腳與對應的一個焊盤電性連接。

可選的實施方式，在所述封裝器件具有頂面焊盤的條件下，所述頂面焊盤基于連接線與對應的分體引腳電性連接；

或所述頂面焊盤與所述彈片鍵合，所述頂面焊盤基于所述彈片與對應的分體引腳電性連接。。

可選的實施方式，所述封裝器件還包括緩沖封裝體，所述芯片和位于所述芯片頂面的部分所述彈片基于所述緩沖封裝體封裝在所述第一支架板上，所述緩沖封裝體基于所述結構封裝體封裝。

相應的，本發明還提供了一種封裝器件制作方法，包括：

第一支架來料，所述第一支架上加工有若干個第一單元，任一個所述第一單元包括第一支架板；

芯片來料，將所述芯片的底面固定在所述第一支架板上；