[發明專利]硅通孔陣列有效
| 申請號： | 202110450323.0 | 申請日： | 2021-04-25 |
| 公開（公告）號： | CN113192928B | 公開（公告）日： | 2023-02-03 |
| 發明（設計）人： | 張衛;劉子玉;蔣涵;陳琳;孫清清 | 申請（專利權）人： | 復旦大學 |
| 主分類號： | H01L23/528 | 分類號： | H01L23/528;H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京英創嘉友知識產權代理事務所(普通合伙) 11447 | 代理人： | 曹寒梅 |
| 地址： | 200433 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅通孔 陣列 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅通孔陣列，其特征在于，該硅通孔陣列包括信號硅通孔和屏蔽接地硅通孔，其中，所述信號硅通孔和所述屏蔽接地硅通孔交錯排布成正N邊形，N≥5；
其中，所述信號硅通孔為差分信號硅通孔，而且所述屏蔽接地硅通孔 被布置在兩對所述差分信號硅通孔之間；
其中，一對所述差分信號硅通孔的中心距比一對單端信號硅通孔的中心距小。
2.根據權利要求1所述的硅通孔陣列，其特征在于，所述一對單端信號硅通孔的中心距為至少40微米。
3.根據權利要求1所述的硅通孔陣列，其特征在于，一對所述差分信號硅通孔的中心距為一對單端信號硅通孔的中心距的一半。
4.根據權利要求1所述的硅通孔陣列，其特征在于，所述信號硅通孔和所述屏蔽接地硅通孔的深度為至少30微米。
5.根據權利要求1至4中任一權利要求所述的硅通孔陣列，其特征在于，所述N為8。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于復旦大學，未經復旦大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110450323.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種超濾水處理的順序控制方法
- 下一篇：一種雙目AR目鏡視覺糾正系統
