[發(fā)明專利]太陽能電池、電池鈍化層的制作方法和太陽能組件

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110447700.5
• 申請(qǐng)日: 2021-04-25
• 公開（公告）號(hào): CN113013267A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳疆;楊蘇平;楊亮;林綱正;陳剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東愛旭科技有限公司;浙江愛旭太陽能科技有限公司;天津愛旭太陽能科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0216
• 分類號(hào): H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 深圳盛德大業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44333
• 代理人: 賈振勇

本發(fā)明適用于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種太陽能電池、電池鈍化層的制作方法和太陽能組件。太陽能電池包括依次層疊設(shè)置的電池基片、氧化硅鈍化膜、氮氧化硅鈍化膜和氮化硅鈍化膜，氧化硅鈍化膜的厚度范圍為11?100nm；氮氧化硅鈍化膜的厚度范圍為20?110nm；氮化硅鈍化膜的厚度范圍為60?160nm。如此，使得太陽能電池的鈍化效果較好，而且可以降低成本，并規(guī)避AlOx鈍化層。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種太陽能電池、電池鈍化層的制作方法和太陽能組件。

背景技術(shù)

相關(guān)技術(shù)中的鈍化發(fā)射極背面接觸電池(PERC)的背面鈍化技術(shù)，主要是在P型硅基體上沉積一層AlOx鈍化層，然后在AlOx層外沉積若干層SiNx層。AlOx鈍化層不僅能夠降低電池背面復(fù)合，而且能改善長波響應(yīng)，提高電池效率。

然而，單晶PERC電池鈍化的主要輔材是TMA及N₂O，且TMA價(jià)格昂貴，難以取代，導(dǎo)致成本較高。而且，現(xiàn)有的AlOx鈍化層的鈍化技術(shù)存在專利壁壘。

基于此，如何實(shí)現(xiàn)太陽能電池的鈍化以降低成本并規(guī)避AlOx鈍化層，成為了亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種太陽能電池、電池鈍化層的制作方法和太陽能組件，旨在解決如何實(shí)現(xiàn)太陽能電池的鈍化以降低成本并規(guī)避AlOx鈍化層的問題。

第一方面，本發(fā)明提供的太陽能電池包括依次層疊設(shè)置的：

電池基片；

氧化硅鈍化膜，厚度范圍為11-100nm；

氮氧化硅鈍化膜，厚度范圍為20-110nm；和

氮化硅鈍化膜，厚度范圍為60-160nm。

可選地，所述氧化硅鈍化膜的折射率的范圍為1.4-1.6，所述氮氧化硅鈍化膜的折射率的范圍為1.6-2.0，所述氮化硅鈍化膜的折射率的范圍為2.1-2.3。

可選地，所述氧化硅鈍化膜包括多層氧化硅膜；和/或，

所述氮氧化硅鈍化膜包括多層氮氧化硅膜；和/或，

所述氮化硅鈍化膜包括多層氮化硅膜。

第二方面，本發(fā)明提供的電池鈍化層的制作方法，包括：

在待沉積鈍化膜的電池基片上沉積氧化硅鈍化膜，所述氧化硅鈍化膜的厚度范圍為11-100nm；

在所述氧化硅鈍化膜上沉積氮氧化硅鈍化膜，所述氮氧化硅鈍化膜的厚度范圍為20-110nm；

在所述氮氧化硅鈍化膜上沉積氮化硅鈍化膜，所述氮化硅鈍化膜的厚度范圍為60-160nm。

可選地，所述在待沉積鈍化膜的電池基片上沉積氧化硅鈍化膜的步驟，包括：

在鍍膜設(shè)備中通入SiH₄和N₂O，以形成所述氧化硅鈍化膜；

所述在所述氧化硅鈍化膜上沉積氮氧化硅鈍化膜的步驟，包括：

在所述鍍膜設(shè)備中通入SiH₄、NH₃和N₂O，以形成所述氮氧化硅鈍化膜；

所述在所述氮氧化硅鈍化膜上沉積氮化硅鈍化膜的步驟，包括：

在所述鍍膜設(shè)備中通入SiH₄和NH₃，以形成所述氮化硅鈍化膜。