[發(fā)明專利]太陽能電池、電池鈍化層的制作方法和太陽能組件

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110447700.5
• 申請(qǐng)日: 2021-04-25
• 公開（公告）號(hào): CN113013267A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳疆;楊蘇平;楊亮;林綱正;陳剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東愛旭科技有限公司;浙江愛旭太陽能科技有限公司;天津愛旭太陽能科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0216
• 分類號(hào): H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 深圳盛德大業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44333
• 代理人: 賈振勇

1.一種太陽能電池，其特征在于，包括依次層疊設(shè)置的：

電池基片；

氧化硅鈍化膜，厚度范圍為11-100nm；

氮氧化硅鈍化膜，厚度范圍為20-110nm；和，

氮化硅鈍化膜，厚度范圍為60-160nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述氧化硅鈍化膜的折射率的范圍為1.4-1.6，所述氮氧化硅鈍化膜的折射率的范圍為1.6-2.0，所述氮化硅鈍化膜的折射率的范圍為2.1-2.3。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述氧化硅鈍化膜包括氧化硅膜，所述氧化硅膜的層數(shù)的范圍為1-3層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述氮氧化硅鈍化膜包括氮氧化硅膜，所述氮氧化硅膜的層數(shù)的范圍為1-4層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述氮化硅鈍化膜包括氮化硅膜，所述氮化硅膜的層數(shù)的范圍為2-5層。

6.一種電池鈍化層的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在待沉積鈍化膜的電池基片上沉積氧化硅鈍化膜，所述氧化硅鈍化膜的厚度范圍為11-100nm；

在所述氧化硅鈍化膜上沉積氮氧化硅鈍化膜，所述氮氧化硅鈍化膜的厚度范圍為20-110nm；

在所述氮氧化硅鈍化膜上沉積氮化硅鈍化膜，所述氮化硅鈍化膜的厚度范圍為60-160nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電池鈍化層的制作方法，其特征在于，所述在待沉積鈍化膜的電池基片上沉積氧化硅鈍化膜的步驟，包括：

在鍍膜設(shè)備中通入SiH₄和N₂O，以形成所述氧化硅鈍化膜；

所述在所述氧化硅鈍化膜上沉積氮氧化硅鈍化膜的步驟，包括：

在所述鍍膜設(shè)備中通入SiH₄、NH₃和N₂O，以形成所述氮氧化硅鈍化膜；

所述在所述氮氧化硅鈍化膜上沉積氮化硅鈍化膜的步驟，包括：

在所述鍍膜設(shè)備中通入SiH₄和NH₃，以形成所述氮化硅鈍化膜。