[發明專利]浸潤式光刻機曝光方法

有效

• 申請號: 202110447471.7
• 申請日: 2021-04-25
• 公開（公告）號: CN113204175B
• 公開（公告）日: 2022-10-28
• 發明（設計）人: 李玉華;黃發彬;周曙亮;趙潞明;吳長明;姚振海;金樂群
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本申請涉及半導體集成電路制造技術領域，具體涉及一種浸潤式光刻機曝光方法。本申請提供一種浸潤式光刻機曝光方法，所述浸潤式光刻機包括曝光鏡頭和曝光臺，所述曝光方法包括依次進行的以下步驟：上傳目標晶片至所述曝光臺上；所述目標晶片包括位于所述目標晶片中部的測試區，和位于所述測試區外圍的外圍區；使得所述曝光鏡頭與所述目標晶片之間充斥水層；使得所述曝光鏡頭通過環形曝光掃描路徑，曝光所述外圍區；使得所述曝光鏡頭曝光所述測試區。本申請提供的浸潤式光刻機曝光方法，可以解決相關技術中的浸潤式光刻機的曝光過程因溫度波動因素，無法得出光刻機的真實光刻參數的問題。

技術領域

本申請涉及半導體集成電路制造技術領域，具體涉及一種浸潤式光刻機曝光方法。

背景技術

光刻工藝是半導體集成電路制造工藝中重要的一步，光刻質量的好壞直接影響產品的合格率。如今，光刻工藝已經步入了浸潤工藝的時代。

在使用浸潤式光刻機進行曝光時，曝光鏡頭與目標晶片之間充斥有水層，利用水具有更大的折射率，以代替傳統技術中的空氣，從而能夠促進65nm以下工藝的發展。

相關技術在使用浸潤式光刻機進行曝光時，是按照特定順序逐行掃描各個曝光單元，在曝光完成后會對測試曝光單元進行光刻參數量測，以確定光刻機的真實光刻參數。

但是，在浸潤式光刻機的曝光微環境中，充斥在曝光鏡頭與目標晶片之間的水層，會蒸發進入該曝光微環境中，水分的蒸發會帶走該在曝光鏡頭與目標晶片之間的熱量。另外在更換晶片的空檔期，該曝光鏡頭與目標晶片之間的溫度會有所上升。這些溫度波動因素，會使得浸潤式光刻機對不同測試曝光單元的曝光過程有所差異，從而影響測試曝光單元的光刻參數，導致無法得出光刻機的真實光刻參數。

發明內容

本申請提供了一種浸潤式光刻機曝光方法，可以解決相關技術中的浸潤式光刻機的曝光過程因溫度波動因素，無法得出光刻機的真實光刻參數的問題。

為了解決本申請背景技術中所述的技術問題，本申請提供一種浸潤式光刻機曝光方法，所述浸潤式光刻機包括曝光鏡頭和曝光臺，所述曝光方法包括依次進行的以下步驟：

上傳目標晶片至所述曝光臺上；所述目標晶片包括位于所述目標晶片中部的測試區，和位于所述測試區外圍的外圍區；

使得所述曝光鏡頭與所述目標晶片之間充斥水層；

使得所述曝光鏡頭通過環形曝光掃描路徑，曝光所述外圍區；所述環形曝光掃描路徑為沿著所述目標晶片的周向進行的曝光掃描路徑；

使得所述曝光鏡頭曝光所述測試區。

可選地，在所述使得所述曝光鏡頭在所述外圍區進行環形曝光掃描的步驟完成后，在所述使得所述曝光鏡頭逐行掃描所述測試區的步驟進行前，所述水層蒸發達到動態平衡。

可選地，所述使得所述曝光鏡頭通過環形曝光掃描路徑，曝光所述外圍區的步驟，包括：

使得所述曝光鏡頭，通過多層環形曝光掃描路徑，由外至內逐層曝光所述外圍區。

可選地，所述外圍區包括：最外層和最內層，所述最內層與所述測試區相鄰，所述最外層位于所述最內層的外側；

所述環形曝光掃描路徑包括：經過所述最外層的最外層環形曝光掃描路徑，和，經過所述最內層的最內層環形曝光掃描路徑。

可選地，所述使得所述曝光鏡頭，通過多層環形曝光掃描路徑，由外至內逐層曝光所述外圍區的步驟，包括：

最先使得所述曝光鏡頭，通過最外層環形曝光掃描路徑，曝光所述外圍區的最外層；

最后使得所述曝光鏡頭，通過最內層環形曝光掃描路徑，曝光所述外圍區的最內層。

可選地，所述最外層和最內層均包括多個外圍曝光單元；