[發明專利]浸潤式光刻機曝光方法有效
| 申請號： | 202110447471.7 | 申請日： | 2021-04-25 |
| 公開（公告）號： | CN113204175B | 公開（公告）日： | 2022-10-28 |
| 發明（設計）人： | 李玉華;黃發彬;周曙亮;趙潞明;吳長明;姚振海;金樂群 | 申請（專利權）人： | 華虹半導體（無錫）有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 214028 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 浸潤 光刻 曝光 方法 | ||
1.一種浸潤式光刻機曝光方法，其特征在于，所述浸潤式光刻機包括曝光鏡頭，所述曝光方法包括依次進行的以下步驟：
上傳目標晶片；所述目標晶片包括位于所述目標晶片中部的測試區，和位于所述測試區外圍的外圍區；
使得所述曝光鏡頭與所述目標晶片之間充斥水層；
使得所述曝光鏡頭通過環形曝光掃描路徑，曝光所述外圍區；所述環形曝光掃描路徑為沿著所述目標晶片的周向進行的曝光掃描路徑；
使得所述曝光鏡頭曝光所述測試區；
在所述使得所述曝光鏡頭在所述外圍區進行環形曝光掃描的步驟完成后，在所述使得所述曝光鏡頭逐行掃描所述測試區的步驟進行前，所述水層蒸發達到動態平衡。
2.如權利要求1所述的浸潤式光刻機曝光方法，其特征在于，所述使得所述曝光鏡頭通過環形曝光掃描路徑，曝光所述外圍區的步驟，包括：
使得所述曝光鏡頭，通過多層環形曝光掃描路徑，由外至內逐層曝光所述外圍區。
3.如權利要求2所述的浸潤式光刻機曝光方法，其特征在于，所述外圍區包括：最外層和最內層，所述最內層與所述測試區相鄰，所述最外層位于所述最內層的外側；
所述環形曝光掃描路徑包括：經過所述最外層的最外層環形曝光掃描路徑，和，經過所述最內層的最內層環形曝光掃描路徑。
4.如權利要求3所述的浸潤式光刻機曝光方法，其特征在于，
所述使得所述曝光鏡頭，通過多層環形曝光掃描路徑，由外至內逐層曝光所述外圍區的步驟，包括：
最先使得所述曝光鏡頭，通過最外層環形曝光掃描路徑，曝光所述外圍區的最外層；
最后使得所述曝光鏡頭，通過最內層環形曝光掃描路徑，曝光所述外圍區的最內層。
5.如權利要求3所述的浸潤式光刻機曝光方法，其特征在于，所述最外層和最內層均包括多個外圍曝光單元；
所述最外層的外圍曝光單元，沿著所述最外層環形曝光掃描路徑，依次排列；
所述最內層的外圍曝光單元，沿著所述最內層環形曝光掃描路徑，依次排列。
6.如權利要求1所述的浸潤式光刻機曝光方法，其特征在于，所述測試區包括多個測試曝光單元，所述測試曝光單元呈陣列式排布。
7.如權利要求1所述的浸潤式光刻機曝光方法，其特征在于，所述使得所述曝光鏡頭曝光所述測試區的步驟，包括：
使得所述曝光鏡頭通過逐行曝光掃描路徑，曝光所述測試區的測試曝光單元。
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