[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器件的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110446864.6
• 申請(qǐng)日: 2021-04-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113206097B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-06-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王進(jìn)峰;張劍;熊偉;陳華倫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華虹半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/11524
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/11524;H01L27/11531;H01L21/027;H01L21/311
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 黎偉

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種存儲(chǔ)器件的制作方法，包括：在存儲(chǔ)單元區(qū)域和邏輯區(qū)域依次形成第三隔離層和第四隔離層；在第四隔離層表面形成第一BARC；對(duì)第一BARC進(jìn)行去除處理，使存儲(chǔ)單元區(qū)域的字線之間的溝槽，以及字線和邏輯區(qū)域之間的溝槽保留第一BARC；在第四隔離層和剩余的第一BARC表面形成第二BARC；分別對(duì)存儲(chǔ)單元區(qū)域和邏輯區(qū)域進(jìn)行刻蝕，在存儲(chǔ)單元區(qū)域形成存儲(chǔ)器件的浮柵和控制柵，在邏輯區(qū)域形成邏輯器件的柵極。本申請(qǐng)通過(guò)在晶圓上形成第一BARC后，對(duì)第一BARC進(jìn)行去除，使存儲(chǔ)單元區(qū)域的字線之間的溝槽，以及字線和邏輯區(qū)域之間的溝槽保留第一BARC，從而在繼續(xù)形成第二BARC后，降低了字線的高度在后續(xù)刻蝕中的高度差對(duì)刻蝕的影響。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種存儲(chǔ)器件的制作方法。

背景技術(shù)

采用非易失性存儲(chǔ)(non-volatile memory，NVM)技術(shù)的存儲(chǔ)器目前被廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦、數(shù)碼相機(jī)、通用串行總線閃存盤(pán)(universal serial bus flashdisk，USB閃存盤(pán)，簡(jiǎn)稱“U盤(pán)”)等具有存儲(chǔ)功能的電子產(chǎn)品中。

NVM存儲(chǔ)器中，NORD閃存(flash)具有傳輸效率高，在1MB至4MB的容量時(shí)成本較低的特點(diǎn)，其通常包括在襯底上形成的存儲(chǔ)單元(flash cell)和位于存儲(chǔ)單元外圍的邏輯器件。

相關(guān)技術(shù)中，在存儲(chǔ)器件(例如NORD閃存器件)的制作過(guò)程中，由于存儲(chǔ)單元區(qū)域內(nèi)字線(word line，WL)高于周?chē)膮^(qū)域，導(dǎo)致應(yīng)位于字線頂部的光阻大量積聚在溝槽處，在后續(xù)邏輯器件的柵極的刻蝕過(guò)程中，由于字線頂部光阻層較其它區(qū)域的厚度低，導(dǎo)致字線頂部的氧化物被大量刻蝕，從而在存儲(chǔ)單元的刻蝕成型過(guò)程中因字線頂部氧化物厚度較薄，導(dǎo)致字線多晶硅被刻蝕，其表面產(chǎn)生大量缺陷，降低了產(chǎn)品的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N存儲(chǔ)器件的制作方法，可以解決相關(guān)技術(shù)中提供的存儲(chǔ)器件的制作過(guò)程中由于字線兩側(cè)的溝槽處積累光阻從而在后續(xù)的工序中字線多晶硅被刻蝕，其表面產(chǎn)生大量缺陷，從而導(dǎo)致產(chǎn)品的可靠性較低的問(wèn)題。

一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種存儲(chǔ)器件的制作方法，包括：

提供一襯底，所述襯底包括存儲(chǔ)單元區(qū)域和邏輯區(qū)域，所述存儲(chǔ)單元區(qū)域的襯底形成有柵氧層，所述柵氧層上形成有字線，所述字線兩側(cè)的柵氧層上依次形成有浮柵多晶硅層、第一隔離層和控制柵多晶硅層，所述字線高于所述浮柵多晶硅層，所述字線表面，所述字線和所述控制柵多晶硅層、所述浮柵多晶硅層之間形成有第二隔離層，所述邏輯區(qū)域的襯底上依次形成有柵氧層、多晶硅層和第二隔離層，所述多晶硅層高于所述浮柵多晶硅層；

依次形成第三隔離層和第四隔離層；

在所述第四隔離層表面形成第一底部抗反射涂層(bottom anti-reflectivecoating，BARC)；

對(duì)所述第一BARC進(jìn)行去除處理，使所述存儲(chǔ)單元區(qū)域的字線之間的溝槽，以及字線和所述邏輯區(qū)域之間的溝槽保留所述第一BARC；

在所述第四隔離層和剩余的第一BARC表面形成第二BARC；

分別對(duì)存儲(chǔ)單元區(qū)域和邏輯區(qū)域進(jìn)行刻蝕，在所述存儲(chǔ)單元區(qū)域形成存儲(chǔ)器件的浮柵和控制柵，在所述邏輯區(qū)域形成邏輯器件的柵極。

可選的，所述分別對(duì)存儲(chǔ)單元區(qū)域和邏輯區(qū)域進(jìn)行刻蝕，包括：

進(jìn)行第一次刻蝕，去除所述第一BARC、所述第二BARC，所述控制柵多晶硅層上的第四隔離層，以及所述邏輯區(qū)域中目標(biāo)區(qū)域的柵氧層、多晶硅層、第三隔離層和第四隔離層，使所述目標(biāo)區(qū)域的襯底暴露，剩余的多晶硅層形成所述柵極；

進(jìn)行第二次刻蝕，去除剩余的第三隔離層和第四隔離層；