[發明專利]存儲器件的制作方法

有效

• 申請號: 202110446864.6
• 申請日: 2021-04-25
• 公開（公告）號: CN113206097B
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發明（設計）人: 王進峰;張劍;熊偉;陳華倫
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11531;H01L21/027;H01L21/311
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 黎偉

1.一種存儲器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，所述襯底包括存儲單元區域和邏輯區域，所述存儲單元區域的襯底形成有柵氧層，所述柵氧層上形成有字線，所述字線兩側的柵氧層上依次形成有浮柵多晶硅層、第一隔離層和控制柵多晶硅層，所述字線高于所述浮柵多晶硅層，所述字線表面，所述字線和所述控制柵多晶硅層、所述浮柵多晶硅層之間形成有第二隔離層，所述邏輯區域的襯底上依次形成有柵氧層、多晶硅層和第二隔離層，所述多晶硅層高于所述浮柵多晶硅層；

依次形成第三隔離層和第四隔離層；

在所述第四隔離層表面形成第一BARC；

對所述第一BARC進行去除處理，使所述存儲單元區域的字線之間的溝槽，以及字線和所述邏輯區域之間的溝槽保留所述第一BARC；

在所述第四隔離層和剩余的第一BARC表面形成第二BARC；

分別對存儲單元區域和邏輯區域進行刻蝕，在所述存儲單元區域形成存儲器件的浮柵和控制柵，在所述邏輯區域形成邏輯器件的柵極。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述分別對存儲單元區域和邏輯區域進行刻蝕，包括：

進行第一次刻蝕，去除所述第一BARC、所述第二BARC，所述控制柵多晶硅層上的第四隔離層，以及所述邏輯區域中目標區域的柵氧層、多晶硅層、第三隔離層和第四隔離層，使所述目標區域的襯底暴露，剩余的多晶硅層形成所述柵極；

進行第二次刻蝕，去除剩余的第三隔離層和第四隔離層；

進行第三次刻蝕，去除所述存儲區域中目標區域的柵氧層、控制柵多晶硅層、第一隔離層、浮柵多晶硅層和第三隔離層，剩余的浮柵多晶硅層形成所述浮柵，剩余的控制柵多晶硅層形成所述控制柵。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一次刻蝕采用干法刻蝕，所述第二次刻蝕采用濕法刻蝕，所述第三次刻蝕采用干法刻蝕。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述進行第一次刻蝕，包括：

采用光刻工藝在所述邏輯器件區域中所述邏輯器件的柵極對應的區域覆蓋光阻；

進行離子刻蝕，去除所述第一BARC、所述第二BARC，所述控制柵多晶硅層上的第四隔離層，以及所述邏輯區域中目標區域的柵氧層、多晶硅層、第三隔離層和第四隔離層。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述第三隔離層包括二氧化硅層，所述第四隔離層包括二氧化硅層。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述依次形成第三隔離層和第四隔離層，包括：

采用等離子體增強化學沉積工藝在所述第二隔離層、所述控制柵多晶硅層和所述多晶硅層上沉積二氧化硅形成所述第三隔離層；

采用正硅酸乙酯化學沉積工藝在所述第三隔離層上沉積二氧化硅形成所述第四隔離層。

7.根據權利要求1至6任一所述的方法，其特征在于，所述第二隔離層包括二氧化硅層。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一隔離層包括ONO。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述字線和所述浮柵多晶硅層、所述控制柵多晶硅層之間還形成有氮化硅層。