[發(fā)明專利]一種半封閉雙腔管狀陣列電極設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110446751.6
• 申請日: 2021-04-25
• 公開（公告）號: CN113178376B
• 公開（公告）日: 2023-01-17
• 發(fā)明（設計）人: 王紅衛(wèi);劉鑫培
• 申請（專利權）人: 蘇州德睿源等離子體研究院有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 蘇州科洲知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 32435
• 代理人: 周亮

本發(fā)明公開了一種半封閉雙腔管狀陣列電極，所述半封閉雙腔管狀陣列電極包括結構單元、控制單元、電極單元和抽真空單元，所述結構單元為可移動的框架箱體結構，所述控制單元分別與結構單元和電極單元連接，所述電極單元分別與結構單元和控制單元連接，電極單元的正負電極均采用管狀結構形式，通過將正負電極等間距間隔設置形成陣列電極，對薄膜類材料進行等離子體處理，所述抽真空單元與電極單元連接。本發(fā)明通過分別將兩份薄膜類材料的特定部位放置在電極單元內(nèi)部，所述陣列電極在低壓狀態(tài)下放電產(chǎn)生等離子體，同時對兩個腔室中的薄膜類材料的特定部位進行處理，進而達到材料表面處理均勻、處理效率快、集成度高、操作簡單等技術效果。

技術領域

本發(fā)明涉及等離子體處理設備的技術領域，具體地說是一種半封閉雙腔管狀陣列電極設備。

背景技術

隨著高性能材料制造技術和先進材料加工技術的快速發(fā)展，人們對材料的韌性、剛性、環(huán)保性、循環(huán)利用性以及使用壽命等提出了更高的要求。通過對材料表面處理來改變材料表面的形態(tài)、化學成分、組織結構等性質(zhì)以提高材料各方面性能的技術在近年來得到了迅速發(fā)展。在物理處理、化學處理和機械處理等眾多表面處理方法中，等離子體表面處理技術因其清潔高效、能耗低、無廢棄物等優(yōu)點而快速發(fā)展。目前，針對不同的產(chǎn)業(yè)應用，不同條件下的等離子體處理技術已經(jīng)出現(xiàn)明顯分工，需要連續(xù)處理的大面積天然或合成材料一般采用常壓等離子體進行處理，半導體、生物醫(yī)用材料等一般采用低壓等離子體進行處理。

隨著我國科學技術的持續(xù)發(fā)展，紡織化纖品、高分子塑料、柔性電路板等產(chǎn)業(yè)對薄膜材料表面處理提出了更高的要求。然而，從等離子體表面處理技術國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀來看，目前還沒有專門針對薄膜材料的搭接處等特殊部位進行等離子體處理的技術。

中國專利(CN209697586U)公開了一種清洗卷料的等離子清洗機以及一種清洗流水線，包括依次設置的放料機構、清洗機構和收料機構，所述放料機構包括用于放置卷料的放料軸，所述收料機構包括用于放置卷料的收料軸。通過加裝放料機構和收料機構，在不改變原有機臺的其他結構的基礎上滿足等離子清洗機對卷料產(chǎn)品的加工需求。該種設備屬于在線式等離子體處理設備，需要將薄膜類材料放置于在線式工作平臺上，只能對薄膜類材料進行連續(xù)的等離子體處理，無法針對薄膜類材料的特定部位進行處理。

中國專利(CN209508407U)公開了一種衰化卷對卷設備等離子強度的裝置，包括放卷艙、多孔石英錠、線圈、石英管、收卷艙、設備框架和射頻控制儀，所述放卷艙設置在所述設備框架上端面一端，且所述收卷艙設置在所述設備框架上端面另一端。該種設備屬于封閉式等離子體處理設備，需要將薄膜類材料整體放置于所述設備框架內(nèi)部，只能對整卷薄膜類材料進行等離子體處理，亦無法針對薄膜類材料的特定部位進行處理。

因此，如何提供一種半封閉雙腔管狀陣列電極設備，既能保證半封閉雙腔內(nèi)部的真空度，又能對薄膜類材料的特定部位進行處理，是目前本領域技術人員亟待解決的技術問題。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本申請的目的在于提供一種半封閉雙腔管狀陣列電極設備，包括多個正電極和多個負電極，正負電極均采用管狀結構形式，通過將正負電極等間距間隔設置形成陣列電極，所述陣列電極在低壓狀態(tài)下放電產(chǎn)生等離子體，同時對兩個腔室中的薄膜類材料的特定部位進行處理，進而達到材料表面處理均勻、處理效率快、集成度高、操作簡單等技術效果。

為了達到上述目的，本申請?zhí)峁┤缦录夹g方案：

一種半封閉雙腔管狀陣列電極設備，包括結構單元、控制單元、電極單元和抽真空單元；所述結構單元起承載控制單元和電極單元的作用，所述控制單元設置在結構單元內(nèi)部，分別與結構單元和電極單元連接，起控制工作氣體進出的作用，所述電極單元設置在結構單元內(nèi)部，分別與結構單元和控制單元連接，正負電極均采用管狀結構形式，通過將正負電極等間距間隔設置形成陣列電極，對薄膜類材料進行等離子體處理，所述抽真空單元設置在結構單元上，與電極單元連接，起降低電極單元內(nèi)部氣壓的作用；