[發(fā)明專利]一種半封閉雙腔管狀陣列電極設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110446751.6 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113178376B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-01-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王紅衛(wèi);劉鑫培 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州德睿源等離子體研究院有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01J37/32 | 分類號(hào): | H01J37/32 |
| 代理公司: | 蘇州科洲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32435 | 代理人: | 周亮 |
| 地址: | 215000 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 封閉 管狀 陣列 電極 設(shè)備 | ||
1.一種半封閉雙腔管狀陣列電極的使用方法,其特征在于,所述半封閉雙腔管狀陣列電極包括結(jié)構(gòu)單元(1)、控制單元(2)、電極單元(3)和抽真空單元(4);所述結(jié)構(gòu)單元(1)起承載控制單元(2)和電極單元(3)的作用,所述控制單元(2)設(shè)置在結(jié)構(gòu)單元(1)內(nèi)部,分別與結(jié)構(gòu)單元(1)和電極單元(3)連接,起控制工作氣體進(jìn)出的作用,所述電極單元(3)設(shè)置在結(jié)構(gòu)單元(1)內(nèi)部,分別與結(jié)構(gòu)單元(1)和控制單元(2)連接,正負(fù)電極均采用管狀結(jié)構(gòu)形式,通過(guò)將正負(fù)電極等間距間隔設(shè)置形成陣列電極,對(duì)薄膜類材料進(jìn)行等離子體處理,所述抽真空單元(4)設(shè)置在結(jié)構(gòu)單元(1)上,與電極單元(3)連接,起降低電極單元(3)內(nèi)部氣壓的作用;
所述結(jié)構(gòu)單元(1)包括箱體(101)、放電開(kāi)關(guān)(102)、急停開(kāi)關(guān)(103)、進(jìn)氣旋鈕(104)、破真空旋鈕(105)、電源接口(106)、框架(107)、福馬輪(108);所述箱體(101)由前面板、后面板、左側(cè)板、右側(cè)板、頂板、底板組成,所述頂板采用空心板狀結(jié)構(gòu),其余板均采用帶有預(yù)留孔的板狀結(jié)構(gòu),所述放電開(kāi)關(guān)(102)、急停開(kāi)關(guān)(103)、進(jìn)氣旋鈕(104)、破真空旋鈕(105)分別設(shè)置在所述箱體(101)的前面板上,所述電源接口(106)設(shè)置在所述箱體(101)的后面板上;
所述控制單元(2)包括流量計(jì)(201)、電磁閥(202)、接枝瓶(203),所述流量計(jì)(201)設(shè)置在所述箱體(101)的前面板上,通過(guò)進(jìn)氣管與電磁閥(202)連接,所述電磁閥(202)設(shè)置在所述箱體(101)的底板上,通過(guò)進(jìn)氣管與電極單元(3)連接,所述接枝瓶(203)設(shè)置在所述箱體(101)的頂板上,通過(guò)進(jìn)氣管與流量計(jì)(201)連接;
所述控制單元(2)還包括電控盤(pán)(204)、電源(205),所述電控盤(pán)(204)設(shè)置在所述箱體(101)的后面板上,通過(guò)電線與所述電磁閥(202)連接,所述電源(205)設(shè)置在電控盤(pán)(204)的下方,與所述箱體(101)的底板連接,電源(205)輸出端通過(guò)電線與電控盤(pán)(204)連接,電源(205)輸入端通過(guò)電線與所述電源接口(106)連接;
所述電極單元(3)包括真空腔(301)、蓋板(303)、進(jìn)氣接口(304)、正電極管(305)、負(fù)電極管(306)、絕緣套筒(307);所述真空腔(301)上端開(kāi)口處厚度大于下端腔體厚度,真空腔(301)上端開(kāi)口處設(shè)置在所述箱體(101)的頂板上方,真空腔(301)下端腔體穿過(guò)所述箱體(101)的頂板設(shè)置在箱體(101)內(nèi)部,所述進(jìn)氣接口(304)的數(shù)量為若干個(gè),分別設(shè)置在真空腔(301)的右側(cè)腔壁上,呈中心對(duì)稱排布,與所述進(jìn)氣管連接;
所述正電極管(305)與負(fù)電極管(306)交替排列,相鄰兩電極管之間距離相等,所有電極管均通過(guò)所述絕緣套筒(307)與真空腔(301)連接,電極管的左邊部分位于真空腔(301)內(nèi)部,將真空腔(301)分為雙腔結(jié)構(gòu),電極管的右邊部分位于真空腔(301)的右側(cè),通過(guò)電線與所述電源(205)連接,所述絕緣套筒(307)設(shè)置在真空腔(301)右側(cè)腔壁豎直方向的對(duì)稱軸上,穿過(guò)真空腔(301)的右側(cè)腔壁與真空腔(301)連接,所述絕緣套筒(307)與電極管之間、絕緣套筒(307)與真空腔(301)之間均設(shè)置有O型圈;
所述半封閉雙腔管狀陣列電極的使用方法包括以下步驟:
a、打開(kāi)蓋板(303),在所述雙腔結(jié)構(gòu)的兩個(gè)腔室中各放入一份需要處理的薄膜類材料;
b、關(guān)閉蓋板(303),打開(kāi)真空泵(401),保持真空腔(301)內(nèi)部處于低壓狀態(tài);
c、旋轉(zhuǎn)進(jìn)氣旋鈕(104),通入反應(yīng)氣體;
d、關(guān)閉進(jìn)氣旋鈕(104),打開(kāi)放電開(kāi)關(guān)(102),正電極管(305)與負(fù)電極管(306)之間放電,對(duì)薄膜類材料進(jìn)行等離子體處理;
e、處理完成后關(guān)閉放電開(kāi)關(guān)(102),旋轉(zhuǎn)破真空旋鈕(105),等待真空腔(301)內(nèi)恢復(fù)常壓狀態(tài);
f、打開(kāi)蓋板(303),分別取出處理完成的兩份薄膜類材料。
2.如權(quán)利要求1所述半封閉雙腔管狀陣列電極的使用方法,其特征在于,所述框架(107)由上連接板、下連接板和若干根立柱組成,所述箱體(101)設(shè)置在上連接板上,與上連接板連接,所述福馬輪(108)設(shè)置在下連接板下方,與下連接板連接。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于蘇州德睿源等離子體研究院有限公司,未經(jīng)蘇州德睿源等離子體研究院有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110446751.6/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。





