[發明專利]一種三維存儲器失效樣品制備方法在審
| 申請號： | 202110443764.8 | 申請日： | 2021-04-23 |
| 公開（公告）號： | CN113176494A | 公開（公告）日： | 2021-07-27 |
| 發明（設計）人： | 劉者;陳小剛 | 申請（專利權）人： | 蘇州鯤騰智能科技有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/28 | 分類號： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 蘇州欣達共創專利代理事務所(普通合伙) 32405 | 代理人： | 楊寒來 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市吳江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 三維 存儲器 失效 樣品 制備 方法 | ||
1.一種三維存儲器失效樣品制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
步驟一、將芯片表面金屬層去除；
步驟二、將去除金屬層的芯片置于機械研磨設備的樣品臺上；
步驟三、調整樣品臺位置，使芯片目標分析區位于微拋光磨頭的正下方；
步驟四、調整微拋光磨頭的位置，使其接觸芯片表面，微拋光磨頭與芯片表面接觸角為45度；
步驟五、設定微拋光磨頭移動距離，然后開啟微拋光磨頭旋轉，打磨芯片目標分析區，同時監控微拋光磨頭位移；
步驟六、在微拋光磨頭達到目標層上方兩層Word Line(W/L)時停止打磨；
步驟七、移出微拋光磨頭，并確認實際去除深度和層數；
步驟八、將樣品轉移至聚焦離子束設備中，針對打磨區域進行離子束轟擊；
步驟九、在到達目標位置時停止離子束；
步驟十、對樣品進行垂直或水平切片，進行分析。
2.根據權利要求1所述的一種三維存儲器失效樣品制備方法，其特征在于：所述步驟二中機械研磨設備由控制系統、Z軸馬達、旋轉馬達、微拋光磨頭與樣品臺組成，所述控制系統控制樣品臺與微拋光磨頭的位置，同時控制Z軸馬達、旋轉馬達的轉速。
3.根據權利要求2所述的一種三維存儲器失效樣品制備方法，其特征在于：所述旋轉馬達上安裝有力反饋模塊，將打磨壓力數據輸送至控制系統進行監控。
4.根據權利要求1所述的一種三維存儲器失效樣品制備方法，其特征在于：所述步驟三中微拋光磨頭的尺寸為0.4mm。
5.根據權利要求1所述的一種三維存儲器失效樣品制備方法，其特征在于：所述步驟五中微拋光磨頭轉速為2000rpm，微拋光磨頭位移控制精度為40nm。
6.根據權利要求1所述的一種三維存儲器失效樣品制備方法，其特征在于：所述步驟六中兩層Word Line(W/L)為400nm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州鯤騰智能科技有限公司，未經蘇州鯤騰智能科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110443764.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
