[發明專利]一種斷電關閉電路、斷電關閉芯片及開關芯片在審
| 申請號: | 202110443449.5 | 申請日: | 2021-04-23 |
| 公開(公告)號: | CN113114195A | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發明(設計)人: | 王飛;梁福煥;鄭鯤鯤;王云;薛靜;羅家鴻 | 申請(專利權)人: | 廣東省大灣區集成電路與系統應用研究院 |
| 主分類號: | H03K17/687 | 分類號: | H03K17/687 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 趙曉榮 |
| 地址: | 510535 廣東省廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 斷電 關閉 電路 芯片 開關 | ||
本申請提供了一種斷電關閉電路、斷電關閉芯片及開關芯片,涉及電路技術領域。斷電關閉電路用于連接目標金屬氧化物半導體場效應晶體管MOS,目標MOS為增強型NMOS,斷電關閉電路包括:第一端口、第二端口、第三端口和第四端口。第一端口用于連接目標MOS的柵極,第二端口用于連接目標MOS的源極,第三端口用于連接驅動電源,第四端口用于連接驅動信號;斷電關閉電路,用于當驅動電源未起電或驅動信號為低電平時,控制目標MOS的柵極電壓和目標MOS的源極電壓相等;以及當驅動電源起電且驅動信號為高電平時,使第一端口和第二端口在斷電關閉電路內斷路。利用本申請的方案,在實現對目標MOS管的斷電關閉時,不會影響對于增強型NMOS管柵極的驅動。
技術領域
本申請涉及電路技術領域,尤其涉及一種斷電關閉電路、斷電關閉芯片及開關芯片。
背景技術
N型金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal Oxide Semiconductor FiledEffect Transistor,MOSFET),以下簡稱NMOS,具體包括增強型NMOS和耗盡型NMOS。其中,增強型NMOS被廣泛應用于線性應用,例如低壓差線性穩壓器(Low-dropout regulator,LDO),或者作為開關。
當電路需要工作在低功耗模式時,增強型NMOS的驅動電路的電源消失,必須保證增強型NMOS處于關閉狀態以防止誤開;當電源啟動時,增強型NMOS的驅動電路的電源也在起電狀態,必須保證增強型NMOS處于關閉狀態防止誤開。傳統的斷電關閉方案如圖1所示,該方案將電阻R0連接在增強型NMOS管M0的柵極和源極之間,下拉電流通過R0,進而將M0的柵極電壓下拉至0,進而實現斷電關閉。也可以采用圖2所示的方案,利用三極管T增強下拉電流能力。
以上方案的問題在于,電阻的通路在增強型NMOS管正常工作時仍然導通,驅動電路需要驅動電阻,而驅動電流I隨柵極電壓VGS的變化而變化,以圖1為例,則I=VGS/R0。因此在開關驅動中,通過控制柵極充放電電流調整輸出電壓的壓擺率時,會引入額外誤差;在低壓差線性穩壓器中,驅動電路不同輸出負載電流會導致輸入失調電壓的微調,惡化輸出電壓的精度參數,因此以上的方案會影響對于增強型NMOS管柵極的驅動。
發明內容
為了解決現有技術存在的上述技術問題,本申請提供了一種斷電關閉電路、斷電關閉芯片及開關芯片,不會影響對于增強型NMOS管柵極的驅動。
第一方面,本申請提供了一種斷電關閉電路,該斷電關閉電路用于連接目標MOS,目標MOS為增強型NMOS,斷電關閉電路包括:第一端口、第二端口、第三端口和第四端口。第一端口用于連接目標MOS的柵極,第二端口用于連接目標MOS的源極,第三端口用于連接驅動電源,第四端口用于連接驅動信號。斷電關閉電路當驅動電源未起電或驅動信號為低電平時,控制目標MOS的柵極電壓和目標MOS的源極電壓相等;以及當驅動電源起電且驅動信號為高電平時,使第一端口和第二端口在斷電關閉電路內斷路。
綜上所述,該斷電關閉電路當驅動電源未起電或驅動信號為低電平時,控制目標MOS的柵極電壓和目標MOS的源極電壓相等。此時使得目標MOS處于關閉狀態,防止目標MOS誤打開。斷電關閉電路當驅動電源起電且驅動信號為高電平時,使第一端口和第二端口在斷電關閉電路內斷路,進而不會影響對目標MOS的驅動。
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