[發(fā)明專利]化學(xué)機(jī)械拋光方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110436761.1
• 申請日: 2021-04-22
• 公開（公告）號: CN113178386A
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡文才;權(quán)林;張宇磊;季文明
• 申請（專利權(quán)）人: 上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306
• 代理公司: 上海思捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31295
• 代理人: 張敏

本發(fā)明提供了一種化學(xué)機(jī)械拋光方法，包括：提供一硅片，所述硅片具有一缺口；形成一層保護(hù)層，所述保護(hù)層覆蓋所述硅片的表面；對所述硅片的缺口進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光以去除所述缺口的表面缺陷；以及，去除所述保護(hù)層。通過在所述硅片的表面覆蓋保護(hù)層，在對所述硅片的缺口進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光時，拋光液流到所述硅片的表面時，由于所述保護(hù)層對所述硅片的表面保護(hù)，使得所述硅片的表面不被所述拋光液腐蝕，從而能夠解決所述硅片表面的邊緣和中間腐蝕不均勻，硅片表面會出現(xiàn)stain(污點(diǎn))缺陷的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及一種化學(xué)機(jī)械拋光方法。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體工藝流程中，化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)是非常重要的一道工序，也被稱之為化學(xué)機(jī)械平坦化(Chemical MechanicalPlanarization，CMP)。所謂化學(xué)機(jī)械拋光，通常是將硅片安裝到硅片載體上，并與拋光布的拋光層接觸，拋光布高速旋轉(zhuǎn)，拋光介質(zhì)(例如漿液)被分配到拋光墊上且吸入硅片與拋光層之間的間隙中，硅片在壓力裝置的壓力作用與拋光布相互摩擦，被研磨去除多余材料，并最終使硅片的研磨面被拋光并獲得平坦表面。

硅片缺口作為硅片的對準(zhǔn)標(biāo)記，硅片缺口的拋光工作過程中硅片載體夾住硅片，拋光墊(Notch PAD)對準(zhǔn)硅片缺口處并且施加壓力，然后拋光液管道(slurry pipe)對準(zhǔn)硅片缺口處流出拋光液(slurry)。來對硅片的缺口處進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光。因?yàn)閽伖庖褐饕刂杵倪吘壛鲃樱瑫霈F(xiàn)硅片表面的邊緣和中間區(qū)域腐蝕不均勻的現(xiàn)象。從而在目視檢查下，硅片表面會出現(xiàn)污點(diǎn)(stain)缺陷。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種化學(xué)機(jī)械拋光方法，以解決硅片表面的邊緣和中間腐蝕不均勻，硅片表面會出現(xiàn)stain(污點(diǎn))缺陷的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種化學(xué)機(jī)械拋光方法，包括：

提供一硅片，所述硅片具有一缺口；

形成一層保護(hù)層，所述保護(hù)層覆蓋所述硅片的表面；

對所述硅片的缺口進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光以去除所述缺口的表面缺陷；以及，

去除所述保護(hù)層。

可選的，在提供一硅片的步驟中，所述硅片已完成正面化學(xué)機(jī)械拋光和背面化學(xué)機(jī)械拋光；在所述硅片的表面形成一層保護(hù)層之前，對所述硅片進(jìn)行清洗以去除所述硅片表面殘留的拋光液。

可選的，所述保護(hù)層為氧化膜。

可選的，對所述硅片進(jìn)行清洗以去除所述硅片表面殘留的拋光液之后，在清洗槽中通入雙氧水或者臭氧以在所述硅片表面形成所述氧化膜。

可選的，所述清洗工藝的溶液中雙氧水的濃度為2％-5％。

可選的，所述清洗工藝的溶液中臭氧的濃度為10PPM-30PPM。

可選的，所述保護(hù)層的厚度為0.1nm-0.3nm。

可選的，對所述硅片的缺口進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光步驟中還包括：

提供一化學(xué)機(jī)械拋光裝置，該化學(xué)機(jī)械拋光裝置具有拋光布以及硅片載體，所述硅片載體具有用于承載硅片的開口；

將所述硅片置于所述硅片載體的開口內(nèi)，并使得所述硅片需要被拋光的缺口面對所述拋光布；

測量所述硅片載體的厚度，并獲得所述硅片的缺口被拋光后的目標(biāo)厚度；

根據(jù)所述硅片載體的厚度和所述硅片的缺口被拋光后的目標(biāo)厚度之差，設(shè)定所述硅片的拋光工藝參數(shù)；

所述化學(xué)機(jī)械拋光裝置根據(jù)所述拋光工藝參數(shù)對所述硅片的缺口進(jìn)行拋光。