[發明專利]化學機械拋光方法

在審

• 申請號: 202110436761.1
• 申請日: 2021-04-22
• 公開（公告）號: CN113178386A
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發明（設計）人: 胡文才;權林;張宇磊;季文明
• 申請（專利權）人: 上海新昇半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 張敏

1.一種化學機械拋光方法，其特征在于，包括：

提供一硅片，所述硅片具有一缺口；

形成一層保護層，所述保護層覆蓋所述硅片的表面；

對所述硅片的缺口進行化學機械拋光以去除所述缺口的表面缺陷；以及，

去除所述保護層。

2.如權利要求1所述的化學機械拋光方法，其特征在于，在提供一硅片的步驟中，所述硅片已完成正面化學機械拋光和背面化學機械拋光；在所述硅片的表面形成一層保護層之前，對所述硅片進行清洗以去除所述硅片表面殘留的拋光液。

3.如權利要求2所述的化學機械拋光方法，其特征在于，所述保護層為氧化膜。

4.如權利要求3所述的化學機械拋光方法，其特征在于，對所述硅片進行清洗以去除所述硅片表面殘留的拋光液之后，在清洗槽中通入雙氧水或者臭氧以在所述硅片表面形成所述氧化膜。

5.如權利要求4所述的化學機械拋光方法，其特征在于，所述清洗工藝的溶液中雙氧水的濃度為2％-5％。

6.如權利要求4所述的化學機械拋光方法，其特征在于，所述清洗工藝的溶液中臭氧的濃度為10PPM-30PPM。

7.如權利要求1所述的化學機械拋光方法，其特征在于，所述保護層的厚度為0.1nm-0.3nm。

8.如權利要求1所述的化學機械拋光方法，其特征在于，對所述硅片的缺口進行化學機械拋光步驟中還包括：

提供一化學機械拋光裝置，該化學機械拋光裝置具有拋光布以及硅片載體，所述硅片載體具有用于承載硅片的開口；

將所述硅片置于所述硅片載體的開口內，并使得所述硅片需要被拋光的缺口面對所述拋光布；

測量所述硅片載體的厚度，并獲得所述硅片的缺口被拋光后的目標厚度；

根據所述硅片載體的厚度和所述硅片的缺口被拋光后的目標厚度之差，設定所述硅片的拋光工藝參數；以及，

所述化學機械拋光裝置根據所述拋光工藝參數對所述硅片的缺口進行拋光。

9.如權利要求8所述的化學機械拋光方法，其特征在于，所述拋光工藝參數包括拋光時間、向所述硅片的缺口施加的壓力、所述拋光布和所述硅片的轉速、拋光液溫度、拋光液的流速以及在拋光完成時所述硅片的缺口的當前厚度和所述硅片載體的厚度之差。

10.如權利要求9所述的化學機械拋光方法，其特征在于，所述拋光時間為20秒-30秒。