[發明專利]一種基于神經網絡的自校準系統及方法

有效

• 申請號: 202110436697.7
• 申請日: 2021-04-22
• 公開（公告）號: CN113391188B
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 郭東輝;刁基東;肖文潤
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28;G06N3/04;G06N3/08
• 代理公司: 廈門福貝知識產權代理事務所(普通合伙) 35235
• 代理人: 陳遠洋

1.一種基于神經網絡的自校準系統，其特征在于，包括：

自檢單元，包括待校準電路所對應的dummy電路，測量所述dummy電路的低頻測量值M，其中，所述低頻測量值M分別關聯于所述待校準電路的工藝參數Pr和所述待校準電路的電性能參數P，其中，所述待校準電路包括第一場效應管和第二場效應管；

可調元件陣列，所述可調元件陣列包括第一可調元件陣列和第二可調元件陣列，所述第一可調元件陣列和所述第二可調元件陣列均由若干個阻抗元件互聯而成，所述第一可調元件陣列和所述第二可調元件陣列分別連接至所述第二場效應管的漏極和所述第一場效應管的柵極，所述可調元件陣列配置于接收計算單元的控制字TKc調整自身的可調元件值TK，并將調整后的所述可調元件值TK輸入所述待校準電路以使所述待校準電路達到滿足期望的電性能參數，其中，所述可調元件值TK關聯于所述電性能參數P；

所述計算單元連接到所述自檢單元和所述可調元件陣列，所述計算單元包括神經網絡，所述神經網絡配置于接收所述低頻測量值M和可調元件值TK作為所述神經網絡的輸入值，其中，所述計算單元通過改變所述控制字TKc調整所述可調元件陣列的可調元件值TK的大小；

基于所述低頻測量值M和所述可調元件值TK，所述計算單元計算出所述滿足期望的電性能參數所要求的第一控制字；

響應于所述神經網絡計算出的所述第一控制字，所述計算單元輸出所述第一控制字至所述可調元件陣列以調整所述可調元件值。

2.根據權利要求1所述的基于神經網絡的自校準系統，其特征在于，所述神經網絡的模型建立過程如下：

接收所述待校準電路的低頻測量值M和可調元件值TK與所述電性能參數P構成數據集，建立所述電性能參數P與所述低頻測量值M和所述可調元件值TK二者之間的映射關系，通過訓練得到映射模型Z：P≈Z(M,TK)。

3.根據權利要求2所述的基于神經網絡的自校準系統，其特征在于，所述映射模型Z為BP訓練算法得到的多層神經網絡，所述神經網絡的層數大于等于3。

4.根據權利要求1所述的基于神經網絡的自校準系統，其特征在于，所述阻抗元件所在的支路分別連接有開關，所述開關的輸入端分別連接所述計算單元的輸出端，其中，所述阻抗元件可以為場效應管、電容、電阻或電感。

5.根據權利要求4所述的基于神經網絡的自校準系統，其特征在于，所述待校準電路的電性能參數P為S參數或噪聲系數。

6.根據權利要求1所述的基于神經網絡的自校準系統，其特征在于，所述低頻測量值M為包括至少一個所述待校準電路中關聯于所述電性能參數P的電壓值或電流值。

7.根據權利要求1所述的基于神經網絡的自校準系統，其特征在于，所述待校準電路還包括第一電感、第二電感、第三電感、信號源和電源，所述第一電感的輸入端連接至所述信號源，所述第一電感的輸出端連接至所述第一場效應管的柵極，所述第一場效應管的源極連接至所述第二電感，進而所述第二電感接地，所述第一場效應管的漏極連接至所述第二場效應管的源極，所述第二場效應管的柵極連接至所述電源，所述第二場效應管的漏極連接至所述第三電感，進而所述第三電感接入所述電源。