[發明專利]等離子體用燒結金屬氣體分布環

在審

• 申請號: 202110433982.3
• 申請日: 2021-04-22
• 公開（公告）號: CN113205993A
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: 徐鳴;唐歡歡;安建昊
• 申請（專利權）人: 江蘇微凱機械有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 揚州邗誠專利代理事務所(普通合伙) 32469
• 代理人: 吳淑芳

本發明提供一種等離子體用燒結金屬氣體分布環，包括氣體分布環本體，氣體分布環本體內環的側面燒結有金屬圓環，金屬圓環上均勻間隔的設有若干通氣孔。本發明中的整個金屬圓環均可以出氣，出氣均勻，氣體分布均勻，氣體電離效率高，進而可使得離子在電離室內分布均勻，同時，可增大氧氣的出氣量，增強了鍍膜工藝的有效性。

技術領域

本發明涉及等離子體技術領域，具體為一種等離子體用燒結金屬氣體分布環。

背景技術

等離子源是鍍膜工藝中的核心部件，而氣體分布環為中空結構且安裝于等離子源內，氣體分布環可將氧氣通入等離子源的電離室內，進而可對氧氣進行電離。

但是，現有的氣體分布環內環側面上開設有若干較大的通氣孔，在出氣的過程中會有氣射流的存在，氣射流會導致氣體出氣不均勻，局部濃度過大，使得氣體分布不均勻，進而易損壞等離子源中的配件，甚至會損壞整個等離子源。

發明內容

本發明的目的在于提供一種等離子體用燒結金屬氣體分布環，以解決上述背景技術中提出的問題。

為了解決上述技術問題，本發明提供如下技術方案：一種等離子體用燒結金屬氣體分布環，包括氣體分布環本體，所述氣體分布環本體內環的側面燒結有金屬圓環，所述金屬圓環上設有間隔不等的若干通氣孔。

所述金屬圓環為金屬顆粒整體燒結而成。

所述金屬圓環上通氣孔的直徑為5-20um。

所述金屬圓環上通氣孔的間距在40-80um之間。

與現有技術相比，本發明所達到的有益效果是：

本發明氣體分布環本體內環的側面燒結有金屬圓環，金屬圓環上均勻間隔的設有若干通氣孔，整個圓環均可以出氣，出氣均勻，氣體分布均勻，氣體電離效率高，進而可使得離子在電離室內分布均勻，同時，可增大氧氣的出氣量，增強了鍍膜工藝的有效性。

附圖說明

附圖用來提供對本發明的進一步理解，并且構成說明書的一部分，并不構成對本發明的限制。在附圖中：

圖1是本發明的結構示意圖；

圖2是改進前氣體分布環的結構示意圖；

圖中：1氣體分布環本體；2金屬圓環。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

請參閱圖1，本發明提供技術方案：一種等離子體用燒結金屬氣體分布環，包括氣體分布環本體1，所述氣體分布環本體1內環的側面燒結有金屬圓環2，所述金屬圓環2上設有間隔不等的若干通氣孔。

所述金屬圓環2為金屬顆粒整體燒結而成。

所述金屬圓環2上通氣孔的直徑為5-20um。

所述金屬圓環2上通氣孔的間距在40-80um之間。

圖2所示，現有的氣體分布環內環側面上開設有若干較大的通氣孔，在出氣的過程中會有氣射流的存在，氣射流會導致氣體出氣不均勻，局部濃度過大，使得氣體分布不均勻。

本發明氣體分布環本體1內環的側面燒結有金屬圓環2，金屬圓環2上均勻間隔的設有若干通氣孔，整個圓環均可以出氣，出氣均勻，氣體分布均勻，氣體電離效率高，進而可使得離子在電離室內分布均勻，同時，可增大氧氣的出氣量，增強了鍍膜工藝的有效性。