[發明專利]以石墨烯為催化劑制備單壁碳納米管的方法有效
| 申請號： | 202110430294.1 | 申請日： | 2021-04-21 |
| 公開（公告）號： | CN113213454B | 公開（公告）日： | 2022-06-24 |
| 發明（設計）人： | 胡悅;張紅杰;錢金杰;黃少銘 | 申請（專利權）人： | 溫州大學 |
| 主分類號： | C01B32/162 | 分類號： | C01B32/162;C01B32/159;C01B32/19 |
| 代理公司： | 北京中建聯合知識產權代理事務所(普通合伙) 11004 | 代理人： | 周娓娓;晁璐松 |
| 地址： | 325015 浙江省溫州市甌*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 石墨 催化劑 制備 單壁碳 納米 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種原位生長獲得單壁碳納米管-石墨烯全碳異質結的方法，其特征在于：
步驟一，選用SiO2/Si基底，將其切割成6mm×6mm大小，對此基底進行預處理，步驟如下：
1)，依次在超純水、丙酮、乙醇、超純水中超聲清洗生長基底；
2)，用高純氮氣吹干；
步驟二，在處理好的SiO2/Si生長基底上機械剝離石墨烯，層數為一層；
步驟三，在有石墨烯的基底上生長碳納米管；
其中，將步驟二所得有單層石墨烯的生長基底置于化學氣相沉積系統中，在氬氣保護下40℃/min的升溫速率升溫至生長溫度830℃，氬氣流量為300sccm;
繼續通入100sccm H2 5min用來還原析出催化劑納米顆粒；繼而通入50sccm Ar/EtOH開始定向生長單壁碳納米管，生長時間為10min，生長完成后，停止通入碳源，保持氫氣和氬氣繼續通入，自然降至室溫，得到碳納米管。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，將得到的成品全碳異質結做成場效應晶體管器件，用電子束光刻技術在SiO2/Si基底上定位全碳異質結并蒸鍍Cr/Au電極來制備場效應晶體管器件，Cr的厚度為3 nm，Au的厚度為60 nm。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，利用探針臺對制備的場效應晶體管器件進行電學測試。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，其中，Ar/EtOH是指以氬氣Ar鼓泡的形式通入乙醇液體。
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