[發(fā)明專利]一種陣列基板制備方法、陣列基板及顯示面板

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110429860.7
• 申請日: 2021-04-21
• 公開（公告）號: CN113140577A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發(fā)明（設計）人: 卓恩宗;都桂卿;朱虹玲;鄭浩旋
• 申請（專利權）人: 滁州惠科光電科技有限公司;惠科股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1335
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 高星

1.一種陣列基板制備方法，其特征在于，包括：

在第一基板上設置第一金屬層；

在第一金屬層上設置半導體層；

在半導體層上設置第二金屬層；

在第二金屬層上設置第一保護層；

在第一保護層上設置色阻層；

對色阻層進行等離子體處理；

在色阻層上設置第二保護層。

2.如權利要求1所述的陣列基板制備方法，其特征在于，在上述步驟“對色阻層進行等離子體處理”中，所述等離子體處理具體為氧等離子體處理。

3.如權利要求2所述的陣列基板制備方法，其特征在于，在上述步驟“對色阻層進行等離子體處理”中，所述氧等離子體處理的源功率為10Kw至14Kw，所述氧等離子體處理的處理時間為7s至30s。

4.如權利要求1所述的陣列基板制備方法，其特征在于，在上述步驟“在第二金屬層上設置第一保護層”中，所述第一保護層采用沉積的方式設置于所述第二金屬層上，所述第一保護層沉積于所述第二金屬層的厚度為

5.如權利要求1所述的陣列基板制備方法，其特征在于，在上述步驟“在色阻層上設置第二保護層”中，所述第二保護層采用沉積的方式設置于所述色阻層上，所述第二保護層沉積于所述色阻層的厚度為至

6.如權利要求1所述的陣列基板制備方法，其特征在于，在上述步驟“在色阻層上設置第二保護層”中，所述第二保護層采用沉積的方式設置于所述色阻層上，所述第二保護層沉積的源功率為10Kw至14Kw。

7.如權利要求1所述的陣列基板制備方法，其特征在于，在上述步驟“在色阻層上設置第二保護層”中，所述第二保護層采用沉積的方式設置于所述色阻層上，所述第二保護層的成膜速度為

8.如權利要求1所述的陣列基板制備方法，其特征在于，在上述步驟“在色阻層上設置第二保護層”中，所述第二保護層采用沉積的方式設置于所述色阻層上，所述第二保護層沉積于所述色阻層的溫度為200℃和220℃。

9.一種陣列基板，其特征在于，包括第一基板、第一金屬層、半導體層、第二金屬層、第一保護層、色阻層和第二保護層；在所述第一基板上設置所述第一金屬層；在所述第一金屬層上設置所述半導體層；在所述半導體層上設置所述第二金屬層；在所述第二金屬層上設置所述第一保護層；在所述第一保護層上設置所述色阻層；對所述色阻層進行等離子體處理；在所述色阻層上設置所述第二保護層。

10.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板應用權利要求1至8任一項所述的陣列基板制備方法生產(chǎn)加工。