[發(fā)明專利]一種彩膜基板及其制作方法和顯示面板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110429466.3 | 申請日： | 2021-04-21 |
| 公開（公告）號： | CN113219702B | 公開（公告）日： | 2022-06-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王杰;鄧福林;唐榕;王立苗;張建英;康報虹 | 申請（專利權(quán)）人： | 惠科股份有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/1333 | 分類號： | G02F1/1333;G02F1/1335 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞專利商標事務(wù)所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 邢濤 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)石巖街道石龍社區(qū)*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 彩膜基板 及其 制作方法 顯示 面板 | ||
本申請公開了一種彩膜基板及其制作方法和顯示面板，所述彩膜基板包括襯底、黑矩陣層和凹槽，所述凹槽設(shè)置在所述第一黑矩陣層中，且環(huán)繞所述顯示區(qū)設(shè)置；所述凹槽在所述第一黑矩陣層的厚度方向上貫穿所述第一黑矩陣層，且所述凹槽的寬度在10?360nm之間。本申請通過在彩膜基板非顯示區(qū)的第一黑矩陣層中設(shè)置環(huán)形凹槽，使得凹槽將第一黑矩陣層隔斷，防止靜電通過黑矩陣層傳入到顯示區(qū)；而且本申請中凹槽的寬度在10?360nm之間，由于可見光的波長范圍在380nm?780nm之間，因此可見光不能夠透過凹槽，因此凹槽本身就具備遮光功能；本申請通過在非顯示區(qū)中的第一遮光層中設(shè)置納米級別的凹槽，使得凹槽同時具備防靜電和防遮光的功能，有利于簡化彩膜基板中的結(jié)構(gòu)。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種彩膜基板及其制作方法和顯示面板。
背景技術(shù)
隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，人們對顯示裝置的顯示品質(zhì)的追求原來越高，其中，窄邊框甚至于無邊框顯示屏幕已成為顯示屏幕設(shè)計的亮點之一。在顯示裝置的制造過程中，通常是將陣列基板事先獨立制造，再將陣列基板和彩膜基板進行對盒，形成液晶盒。其中，彩膜基板上位于顯示區(qū)中的黑矩陣層與陣列基板上的數(shù)據(jù)線、掃描線、薄膜晶體管等部件的位置相對應(yīng)，以遮擋住數(shù)據(jù)線、掃描線、薄膜晶體管等部件；彩膜基板上位于非顯示區(qū)中的黑矩陣層與外圍金屬信號線對應(yīng)，以遮擋外圍金屬信號線，并防止漏光。
為了避免非顯示區(qū)中的黑矩陣層由于暴露在環(huán)境中，使靜電通過黑矩陣層導(dǎo)入到液晶盒內(nèi)，造成液晶偏轉(zhuǎn)異常而導(dǎo)致的顯示不良。通常會在黑矩陣的周邊進行開槽，將黑矩陣的邊緣和內(nèi)部斷開，以切斷靜電的導(dǎo)入路徑，防止靜電進入液晶盒內(nèi)。但是，這種黑矩陣的開槽設(shè)計容易造成漏光，影響顯示效果。
發(fā)明內(nèi)容
本申請的目的是提供一種防靜電和防漏光的彩膜基板及其制作方法和顯示面板。
本申請公開了一種彩膜基板，包括襯底、黑矩陣層和凹槽，所述襯底包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述非顯示區(qū)環(huán)繞所述顯示區(qū)設(shè)置；所述黑矩陣層設(shè)置在所述襯底上，且至少包括位于所述非顯示區(qū)內(nèi)的第一黑矩陣層；所述凹槽設(shè)置在所述第一黑矩陣層中，且環(huán)繞所述顯示區(qū)設(shè)置；所述凹槽在所述第一黑矩陣層的厚度方向上貫穿所述第一黑矩陣層，且所述凹槽的寬度在10-360nm之間。
可選的，所述凹槽的寬度在300-360nm之間。
可選的，所述凹槽的寬度在10-40nm之間。
可選的，所述凹槽與所述顯示區(qū)之間的距離在0.01-0.2mm之間。
可選的，所述凹槽的數(shù)量有多個，間隔均勻地設(shè)置在所述第一黑矩陣層中。
本申請還公開了一種彩膜基板的制作方法，用于制作上述的彩膜基板，包括步驟：
在襯底上的非顯示區(qū)中形成第一黑矩陣層；以及
在所述第一黑矩陣層中形成環(huán)繞顯示區(qū)設(shè)置的凹槽；
其中，所述凹槽在所述第一黑矩陣層的厚度方向上貫穿所述第一黑矩陣層，且所述凹槽的寬度在10-360nm之間。
可選的，所述在所述第一黑矩陣層中形成環(huán)繞顯示區(qū)設(shè)置的凹槽的步驟包括：使用納米級壓印技術(shù)在所述第一黑矩陣層中形成寬度在10-360nm之間的凹槽。
可選的，使用納米級壓印技術(shù)在所述第一黑矩陣層中形成寬度在10-360nm之間的凹槽的步驟包括：
在襯底上涂布未固化的黑矩陣材料；
使用納米壓印模板與涂有未固化黑矩陣材料的襯底表面接觸；
在15-25s內(nèi)將黑矩陣材料溫度升溫至140-160℃維持15-20s，使黑矩陣材料與納米壓印模板充分接觸填充；以及
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G02F 用于控制光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào)，上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的；用于上述操作的技術(shù)或工藝；變頻；非線性光學(xué)；光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如，轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制；非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制，即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
