[發(fā)明專利]功率放大器、功率放大電路、功率放大設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110427630.7
• 申請日: 2021-04-20
• 公開（公告）號: CN113541617A
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 島本健一
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H03F3/20
• 分類號: H03F3/20
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 李國華

提供一種功率放大器、功率放大電路、功率放大設(shè)備，抑制無功電流的變動。功率放大器(100)具備形成在半導(dǎo)體基板(303)上的晶體管(101)、晶體管(102)、晶體管(103)、以及凸塊，該凸塊與晶體管(101)的發(fā)射極電連接，設(shè)置為在半導(dǎo)體基板(303)的俯視下，與配置晶體管(101)的配置區(qū)域(A1)、配置晶體管(102)的配置區(qū)域(A2)、以及配置晶體管(103)的配置區(qū)域(A3)重疊。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及功率放大器、功率放大電路及功率放大設(shè)備。

背景技術(shù)

功率放大設(shè)備被用于移動體通信中的無線電頻率(Radio Frequency：RF)信號的放大。功率放大設(shè)備通過在模塊基板上安裝將具有功率放大器的功率放大電路設(shè)置于半導(dǎo)體基板所得到的半導(dǎo)體芯片而構(gòu)成。在功率放大電路被倒裝芯片安裝于模塊基板的情況下，在晶體管被施加應(yīng)力。關(guān)于向晶體管施加的應(yīng)力，在專利文獻(xiàn)1中，公開了一種在晶體管動作時緩和因發(fā)射極層與柱狀凸塊的熱膨脹率之差而引起的熱應(yīng)力的半導(dǎo)體裝置。

在先技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特許第5967317號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的課題

例如當(dāng)通過回流試驗(yàn)對功率放大電路施加熱時，產(chǎn)生因熱膨脹率之差引起的熱應(yīng)力。即便在去除了熱之后，在功率放大電路中也殘留有因熱應(yīng)力引起的應(yīng)力。當(dāng)因熱應(yīng)力引起的應(yīng)力被施加于功率放大電路的功率放大器的晶體管時，晶體管的特性發(fā)生變動。通過晶體管的特性變動，向無信號時的晶體管流動的電流即無功電流發(fā)生變動。

本發(fā)明是鑒于這樣的情況而完成的，其目的在于，提供一種抑制無功電流的變動的功率放大器。

用于解決課題的手段

本發(fā)明的一方面的功率放大器具備：第一晶體管，其形成在半導(dǎo)體基板上；第二晶體管，其形成在半導(dǎo)體基板上，基極被供給作為控制電流的一部分的第一電流，并且向第一晶體管供給第二電流，該第二電流是基于第一電流的偏置電流的一部分；第三晶體管，其形成在半導(dǎo)體基板上，被供給作為控制電流的一部分的第三電流和作為偏置電流的一部分的第四電流，第三電流伴隨著所施加的應(yīng)力的增加而減少；以及金屬構(gòu)件，其與第一晶體管的發(fā)射極電連接，設(shè)置為在半導(dǎo)體基板的俯視下，與配置第一晶體管的第一配置區(qū)域、配置第二晶體管的第二配置區(qū)域、以及配置第三晶體管的第三配置區(qū)域重疊。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供抑制無功電流的變動的功率放大器。

附圖說明

圖1是本實(shí)施方式的功率放大器的電路圖。

圖2是本實(shí)施方式的功率放大電路的電路圖。

圖3是本實(shí)施方式的功率放大電路的示意性布局圖。

圖4是本實(shí)施方式的功率放大電路中的功率放大器的剖視圖。

圖5是本實(shí)施方式的功率放大電路中的功率放大器的剖視圖。

圖6是示出本實(shí)施方式的功率放大電路中的無功電流的圖。

圖7是對本實(shí)施方式的功率放大電路的特性進(jìn)行說明的圖。

圖8是示出本實(shí)施方式的功率放大電路中的無功電流的圖。

圖9是示出本實(shí)施方式的功率放大電路中的無功電流的圖。

圖10是示出本實(shí)施方式的功率放大電路的另一示意性布局圖。

圖11是本實(shí)施方式的功率放大設(shè)備的剖視圖。

附圖標(biāo)記說明