[發明專利]一種大電流高壓硅堆的清洗方法

在審

• 申請號: 202110426283.6
• 申請日: 2021-04-20
• 公開（公告）號: CN113319036A
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 王志敏;黃麗鳳;丁曉飛
• 申請（專利權）人: 如皋市大昌電子有限公司
• 主分類號: B08B3/02
• 分類號: B08B3/02;B08B3/08;B08B3/12;H01L21/02
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 崔立青;王玉梅

本發明公開了一種大電流高壓硅堆的清洗方法，該大電流高壓硅堆的清洗方法步驟如下：首先浸泡，通過機械手臂將高壓硅堆放入混合液體中浸泡，浸泡時長為60?80s，而后取出，靜置2?3小時，然后通過純凈的蒸餾水進行反復沖洗，沖洗時長為50?60s，得到第一次清洗后的高壓硅堆，其次重復清洗，將第一次采用蒸汽清洗后的高壓硅堆再次清洗，這次采用純水清洗，清洗后甩干，在100℃?120℃的氮氣箱內干燥處理，干燥處理時長為20?30min，得到烘干后的高壓硅堆；該一種大電流高壓硅堆的清洗方法，通過采用不同的清洗方式，逐步的對高壓硅堆進行清洗，同時通過不同的清洗內容，可以有效的將高壓硅堆的表面雜質去除，從而提高高壓硅堆的耐久性及可靠性，也提高了其使用壽命。

技術領域

本發明涉及硅堆清洗技術領域，具體為一種大電流高壓硅堆的清洗方法。

背景技術

高壓硅堆由多只高壓整流二極管(硅粒)串聯組成，是高壓整流中將交流 變成直流必不可少的原件，由于高壓整流是以陰極射線掃描的方式呈現圖像 的屏幕(包括老式電視機，電腦屏幕)中必不可少的部分，有很多廠家生產高 壓硅堆，電壓從1KV～1000KV；電流從1mA～100A不等；

目前大電流高壓硅堆在清洗時由于清洗的不到位，使得高壓硅堆表面雜 質去除的效果不太理想，從而影響其使用的耐久性以及可靠性，大大的降低 了高壓硅堆的使用壽命，給使用者帶來不便。

發明內容

針對現有技術的不足，本發明提供了一種大電流高壓硅堆的清洗方法， 具有便于搬運和稱重的功能的優點，解決了高壓硅堆在清洗時由于清洗的不 到位，使得高壓硅堆表面雜質去除的效果不太理想，從而影響其使用的耐久 性以及可靠性，大大的降低了高壓硅堆的使用壽命，給使用者帶來不便。

本發明提供如下技術方案：一種大電流高壓硅堆的清洗方法，該大電流 高壓硅堆的清洗方法步驟如下：

步驟一、浸泡，首先通過機械手臂將高壓硅堆放入混合液體中浸泡，浸 泡時長為60-80s，而后取出，靜置2-3小時，然后通過純凈的蒸餾水進行反 復沖洗，沖洗時長為50-60s，得到第一次清洗后的高壓硅堆。

步驟二、重復清洗，將第一次采用蒸汽清洗后的高壓硅堆再次清洗，這 次采用純水清洗，清洗后甩干，在100℃-120℃的氮氣箱內干燥處理，干燥處 理時長為20-30min，得到烘干后的高壓硅堆。

步驟三、清洗劑深度清洗，將得到的烘干后的高壓硅堆進行深度清洗， 采用藥劑清洗，藥劑清洗后通過溢水清洗殘留藥劑，時長為3-5min，而后提 拉烘干，得到深度清洗后的高壓硅堆。

步驟四、超聲清洗，將步驟三中得到的深度清洗后的高壓硅堆進行超聲 清洗，將高壓硅堆放入溫度為30-55℃的純水中使用超聲波清洗10-15min； 然后將其放入加有3-8％wt的乳酸且溫度為60-75℃的純水槽中清洗 20-30min，得到超聲清洗后的高壓硅堆。

步驟五、脫水，將步驟四中得到的超聲清洗后的高壓硅堆采用丙酮脫水， 丙酮脫水處理的次數為兩次，得到脫水后的高壓硅堆。

步驟六、烘干，將脫水后的高壓硅堆進行烘干處理，首先采用提拉烘干 的方式，將硅堆內部的硅片進行烘干，而后再采用熱N2烘干，采用熱風將高 壓硅堆吹干，冷卻備用，即可完成大電流高壓硅堆的清洗方法，最終得到表 面無雜質的高壓硅堆。

優選的，步驟一中混合液體為堿溶液為氨水與雙氧水的混合溶液，所述 氨水與所述雙氧水的體積比為1:2，所述氨水為質量分數44％-45％溶液。

優選的，步驟一中反復沖洗時采用蒸汽水槍，其采用壓力為 3.5mpa-4.2mpa的噴槍進行雙面噴淋。

優選的，步驟二中采用純水沖洗時純水的電阻率為5-8mΩ.cm，烘干時氮 氣的濃度維持在0.0276-0.045mol/L。