[發明專利]一種大電流高壓硅堆的清洗方法

在審

• 申請號: 202110426283.6
• 申請日: 2021-04-20
• 公開（公告）號: CN113319036A
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 王志敏;黃麗鳳;丁曉飛
• 申請（專利權）人: 如皋市大昌電子有限公司
• 主分類號: B08B3/02
• 分類號: B08B3/02;B08B3/08;B08B3/12;H01L21/02
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 崔立青;王玉梅

1.一種大電流高壓硅堆的清洗方法，其特征在于：該大電流高壓硅堆的清洗方法步驟如下：

步驟一、浸泡，首先通過機械手臂將高壓硅堆放入混合液體中浸泡，浸泡時長為60-80s，而后取出，靜置2-3小時，然后通過純凈的蒸餾水進行反復沖洗，沖洗時長為50-60s，得到第一次清洗后的高壓硅堆。

步驟二、重復清洗，將第一次采用蒸汽清洗后的高壓硅堆再次清洗，這次采用純水清洗，清洗后甩干，在100℃-120℃的氮氣箱內干燥處理，干燥處理時長為20-30min，得到烘干后的高壓硅堆。

步驟三、清洗劑深度清洗，將得到的烘干后的高壓硅堆進行深度清洗，采用藥劑清洗，藥劑清洗后通過溢水清洗殘留藥劑，時長為3-5min，而后提拉烘干，得到深度清洗后的高壓硅堆。

步驟四、超聲清洗，將步驟三中得到的深度清洗后的高壓硅堆進行超聲清洗，將高壓硅堆放入溫度為30-55℃的純水中使用超聲波清洗10-15min；然后將其放入加有3-8％wt的乳酸且溫度為60-75℃的純水槽中清洗20-30min，得到超聲清洗后的高壓硅堆。

步驟五、脫水，將步驟四中得到的超聲清洗后的高壓硅堆采用丙酮脫水，丙酮脫水處理的次數為兩次，得到脫水后的高壓硅堆。

步驟六、烘干，將脫水后的高壓硅堆進行烘干處理，首先采用提拉烘干的方式，將硅堆內部的硅片進行烘干，而后再采用熱N2烘干，采用熱風將高壓硅堆吹干，冷卻備用，即可完成大電流高壓硅堆的清洗方法，最終得到表面無雜質的高壓硅堆。

2.根據權利要求1所述的一種大電流高壓硅堆的清洗方法，其特征在于：步驟一中混合液體為堿溶液為氨水與雙氧水的混合溶液，所述氨水與所述雙氧水的體積比為1:2，所述氨水為質量分數44％-45％溶液。

3.根據權利要求1所述的一種大電流高壓硅堆的清洗方法，其特征在于：步驟一中反復沖洗時采用蒸汽水槍，其采用壓力為3.5mpa-4.2mpa的噴槍進行雙面噴淋。

4.根據權利要求1所述的一種大電流高壓硅堆的清洗方法，其特征在于：步驟二中采用純水沖洗時純水的電阻率為5-8mΩ.cm，烘干時氮氣的濃度維持在0.0276-0.045mol/L。

5.根據權利要求1所述的一種大電流高壓硅堆的清洗方法，其特征在于：步驟三中藥劑清洗時，藥劑是由乙二胺四乙酸、氫氧化鈉、丙三醇、過氧化氫溶液、氫氧化鉀以及去離子水制備而成。

6.根據權利要求1所述的一種大電流高壓硅堆的清洗方法，其特征在于：所述步驟五中第一次丙酮脫水處理的時間為5-6min，第二次丙酮脫水處理的時間為3-5min。

7.根據權利要求1所述的一種大電流高壓硅堆的清洗方法，其特征在于：步驟六中在烘干時首先慢提拉時間為30-60s，溫度為35-50℃，烘干時間為15-20min。