[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110425311.2 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113380790A | 公開(公告)日: | 2021-09-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 許桀豪;凃偉祥;張國欽;李明機(jī) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/06 | 分類號(hào): | H01L27/06;H01L23/485;H01L21/822;H01L21/48 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 黃艷 |
| 地址: | 中國臺(tái)*** | 國省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu),包括:
一第一絕緣層,形成于一導(dǎo)電特征部件上;
一電容器結(jié)構(gòu),埋設(shè)于該第一絕緣層內(nèi);
一接合墊,形成于該第一絕緣層上,且對(duì)應(yīng)于該電容器結(jié)構(gòu),其中該接合墊具有一上表面及一多階邊緣,以形成至少三個(gè)轉(zhuǎn)角;以及
一第二絕緣層,順應(yīng)性覆蓋由該接合墊的該上表面及該多階邊緣形成的該至少三個(gè)轉(zhuǎn)角。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu),還包括:
一第三絕緣層,形成于該第二絕緣層上;以及
一凸塊下金屬層,形成于該第三絕緣層上,且穿過該第三絕緣層及該第二絕緣層,以接觸該接合墊的該上表面。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu),其中,該接合墊的該多階邊緣定義出一第一階、位于該第一階上的一第二階及位于該第二階的一第三階,且其中該第一階、該第二階及該第三階各自具有一實(shí)質(zhì)上垂直側(cè)壁。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu),其中,該接合墊的該多階邊緣形成了具有至少兩個(gè)轉(zhuǎn)角的一曲形輪廓。
5.一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu),包括:
一第一絕緣層,形成于一內(nèi)連接結(jié)構(gòu)的一最上層金屬層上;
一金屬-絕緣體-金屬電容器,埋設(shè)于該第一絕緣層內(nèi);
一接合墊,形成于該金屬-絕緣體-金屬電容器上,且通過該第一絕緣層與該金屬-絕緣體-金屬電容器隔開,其中該接合墊具有一側(cè)壁,其具有一非直線輪廓,其中從該接合墊的一上表面沿該接合墊的該側(cè)壁至該第一絕緣層的一上表面的一路徑包括至少三個(gè)轉(zhuǎn)向角度,且該至少三個(gè)轉(zhuǎn)向角度總和大于90°。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu),其中,該至少三個(gè)轉(zhuǎn)向角度各自實(shí)質(zhì)上等于90°。
7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu),其中,具有該非直線輪廓的該側(cè)壁形成了一第一階、位于該第一階上的一第二階及位于該第二階上的一第三階,且其中該第一階的一上表面面積大于該第二階的一上表面面積。
8.一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的制造方法,包括:
形成一第一絕緣層及一金屬-絕緣體-金屬電容器于一內(nèi)連接結(jié)構(gòu)的一最上層金屬層上,其中該金屬-絕緣體-金屬電容器埋設(shè)于該第一絕緣層內(nèi);
形成一導(dǎo)電層于該第一絕緣層上;
圖案化該導(dǎo)電層,以形成一接合墊于該第一絕緣層上,且對(duì)應(yīng)于該金屬-絕緣體-金屬電容器,其中該接合墊具有一上表面及一多階邊緣而形成至少三個(gè)轉(zhuǎn)角;
順應(yīng)性形成一第二絕緣層,以覆蓋由該接合墊的該上表面及該多階邊緣形成的該至少三個(gè)轉(zhuǎn)角;
形成一第三絕緣層于該第二絕緣層上;以及
形成一凸塊下金屬層于該第三絕緣層上,并穿過該第三絕緣層及該第二絕緣層,以接觸該接合墊的該上表面。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的制造方法,其中,通過使用一第一掩膜層作為蝕刻掩膜的一第一蝕刻制程及后續(xù)使用一第二掩膜層作為蝕刻掩膜的一第二蝕刻制程來圖案化該導(dǎo)電層,其中該第一掩膜層具有大于該第二掩膜層的一面積。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的制造方法,其中,從該接合墊的該上表面沿該接合墊的該多階邊緣至該第一絕緣層的一上表面的一路徑包括至少三個(gè)轉(zhuǎn)向角度對(duì)應(yīng)于該至少三個(gè)轉(zhuǎn)角,且該至少三個(gè)轉(zhuǎn)向角度總和大于90°。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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