[發明專利]半導體裝置結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202110425311.2
• 申請日: 2021-04-20
• 公開（公告）號: CN113380790A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 許桀豪;凃偉祥;張國欽;李明機
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L23/485;H01L21/822;H01L21/48
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

提供一種半導體裝置結構及其制造方法。半導體裝置結構包括形成于一導電特征部件上的一第一絕緣層及埋設于第一絕緣層內的一電容器結構。半導體裝置也包括形成于第一絕緣層上且對應于電容器結構的一接合墊。接合墊具有一上表面及一多階邊緣，以形成至少三個轉角。另外，半導體裝置結構包括一第二絕緣層，順應性覆蓋由接合墊的上表面及多階邊緣形成的至少三個轉角。

技術領域

本公開實施例涉及一種半導體技術，且特別涉及一種半導體裝置結構及其制造方法。

背景技術

隨著電子技術的進步，電子設備變得越來越復雜，且牽涉的集成電路數量也越來越多，以實現所需的多功能性。因此，這種電子設備的制造包括越來越多的操作步驟，以及各種不同類型的材料，以生產出用于電子設備的半導體裝置。

半導體裝置可包括主動及/或被動裝置，如晶體管及電容器。這些裝置最初為彼此隔離的，但后續會內連接在一起。典型的內連接結構包括橫向內連接，例如金屬線(接線)，以及垂直內連接，例如介層連接窗(via)及接點(contact)。形成接合墊于內連接結構上方，且露出于對應芯片的表面。通過接合墊進行電性連接，而將芯片與另一元件連接。

在制造操作步驟中，半導體裝置由許多包括各種材料的部件進行組裝而成。隨著牽涉更多的具有不同材料的部件，以及制造操作步驟的復雜性增加，修改半導體裝置的結構及改進制造操作步驟就會出現更多的挑戰。

發明內容

在一些實施例中，一種半導體裝置結構，包括：一第一絕緣層，形成于一導電特征部件上；一電容器結構，埋設于第一絕緣層內；一接合墊，形成于第一絕緣層上，且對應于電容器結構，其中接合墊具有一上表面及一多階邊緣，以形成至少三個轉角；以及一第二絕緣層，順應性覆蓋由接合墊的上表面及多階邊緣形成的至少三個轉角。

在一些實施例中，一種半導體裝置結構，包括：一第一絕緣層，形成于一內連接結構的一最上層金屬層上；一金屬-絕緣體-金屬電容器，埋設于第一絕緣層內；一接合墊，形成于金屬-絕緣體-金屬電容器上，且通過第一絕緣層與金屬-絕緣體-金屬電容器隔開，其中接合墊具有一側壁，其具有一非直線輪廓，其中從接合墊的一上表面沿接合墊的側壁至第一絕緣層的一上表面的一路徑包括至少三個轉向角度，且轉向角度總和大于90°。

在一些實施例中，一種半導體裝置結構的制造方法，包括：形成一第一絕緣層及一金屬-絕緣體-金屬電容器于一內連接結構的一最上層金屬層上，其中金屬-絕緣體-金屬電容器埋設于第一絕緣層內；形成一導電層于第一絕緣層上；圖案化導電層，以形成一接合墊于第一絕緣層上，且對應于金屬-絕緣體-金屬電容器，其中接合墊具有一上表面及一多階邊緣而形成至少三個轉角；順應性形成一第二絕緣層，以覆蓋由接合墊的上表面及多階邊緣形成的至少三個轉角；形成一第三絕緣層于第二絕緣層上；以及形成一凸塊下金屬層于第三絕緣層上，并穿過該第三絕緣層及第二絕緣層，以接觸該接合墊的上表面。

附圖說明

圖1A-圖1K繪示出根據一些實施例的制造半導體裝置結構的各個階段的剖面示意圖。

圖2A繪示出根據一些實施例的封裝結構的剖面示意圖。

圖2B繪示出根據一些實施例的封裝結構的剖面示意圖。

圖3繪示出根據一些實施例的接合墊的局部放大剖面示意圖。

圖4繪示出根據一些實施例的接合墊的局部放大剖面示意圖。

圖5繪示出根據一些實施例的接合墊的局部放大剖面示意圖。

圖6繪示出根據一些實施例的接合墊的局部放大剖面示意圖。

圖7繪示出根據一些實施例的接合墊的局部放大剖面示意圖。

其中，附圖標記說明如下：

100：基底

102：隔離結構