[發明專利]一種天線結構與相控陣天線

有效

• 申請號: 202110421891.8
• 申請日: 2021-04-20
• 公開（公告）號: CN112993560B
• 公開（公告）日: 2021-08-06
• 發明（設計）人: 郭凡玉;陳智慧;王新輝;許峰凱;朱蕾
• 申請（專利權）人: 成都天銳星通科技有限公司
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q21/00
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 榮穎佳

本申請提供了一種天線結構與相控陣天線，涉及相控陣天線技術領域。該天線結構包括饋電結構、輻射貼片、第一饋電探針、第二饋電探針、第三饋電探針以及功分器，第一饋電探針、第二饋電探針、第三饋電探針以及功分器均與輻射貼片連接，第一饋電探針、第二饋電探針、第三饋電探針均分別與功分器的支路連接，饋電結構與功分器的合口連接，其中，第一饋電探針、第二饋電探針以及第三饋電探針呈等邊三角形排布，以使第一饋電探針、第二饋電探針以及第三饋電探針的饋電相位差依次增加120°。本申請提供的天線結構與相控陣天線具有改善了相位中心偏移，避免了旋轉組陣時相位中心周期性變化引起的柵瓣的優點。

技術領域

本申請涉及相控陣天線技術領域，具體而言，涉及一種天線結構與相控陣天線。

背景技術

目前，圓極化天線廣泛應用于我們的日常生活中。

然而，目前的圓極化天線普遍采用單饋和雙饋形式的天線饋電結構，由于單饋和雙饋形式的饋電結構不對稱，因此可能出現天線方向圖不圓以及相位中心偏離天線幾何中心，相位中心偏移在旋轉組陣時陣面掃描會出現柵瓣的情況。

綜上，現有的圓極化天線存在天線相位中心出現偏移，存在柵瓣的問題。

發明內容

本申請的目的在于提供一種天線結構與相控陣天線，以解決現有技術中圓極化天線存在天線相位中心出現偏移，存在柵瓣的問題。

為了實現上述目的，本申請實施例采用的技術方案如下：

一方面，本申請提供了一種天線結構，所述天線結構包括饋電結構、輻射貼片、第一饋電探針、第二饋電探針、第三饋電探針以及功分器，所述第一饋電探針、所述第二饋電探針、所述第三饋電探針以及所述功分器均與所述輻射貼片連接，所述第一饋電探針、所述第二饋電探針、所述第三饋電探針均分別與所述功分器的支路連接，所述饋電結構與所述功分器的合口連接，其中，

所述第一饋電探針、所述第二饋電探針以及所述第三饋電探針呈等邊三角形排布，以使所述第一饋電探針、所述第二饋電探針以及所述第三饋電探針的饋電相位差依次增加120°。

可選地，所述饋電結構包括饋電線、類同軸內導體、類同軸外導體以及耦合縫隙，所述類同軸內導體分別與所述類同軸外導體、所述饋電線連接，所述饋電線與所述功分器的合口通過所述耦合縫隙實現耦合，并進行射頻信號的傳輸。

可選地，所述天線結構還包括第一介質層、第二介質層以及第三介質層，所述第一介質層、所述第二介質層以及所述第三介質層逐層連接；

所述第一饋電探針、所述第二饋電探針以及所述第三饋電探針均穿過所述第一介質層，所述類同軸內導體穿過所述第三介質層。

可選地，所述第三介質層包括第一子介質層、第二子介質層、第三子介質層、第四子介質層以及第五子介質層，所述第一子介質層、所述第二子介質層、所述第三子介質層、所述第四子介質層以及所述第五子介質層逐層連接；

所述類同軸外導體穿過所述第一子介質層、所述第二子介質層、所述第三子介質層以及所述第四子介質層；所述類同軸內導體穿過所述第一子介質層、所述第二子介質層、所述第三子介質層、所述第四子介質層以及所述第五子介質層。

可選地，所述第二介質層包括金屬層，在每個所述子介質層上設置通孔后壓合形成所述第三介質層。

可選地，所述第一介質層包括第六子介質層與第七子介質層，在所述第六子介質層與所述第七子介質層上設置通孔后壓合形成所述第一介質層。

可選地，所述功分器包括三合一功分器。

另一方面，本申請還提供了一種所述相控陣天線，包括多個上述的天線結構，多個所述天線結構旋轉拼接組成所述相控陣天線。

可選地，每個所述天線結構的旋轉角度與饋電相位滿足公式：