[發(fā)明專利]一種天線結構與相控陣天線

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110421891.8
• 申請日: 2021-04-20
• 公開（公告）號: CN112993560B
• 公開（公告）日: 2021-08-06
• 發(fā)明（設計）人: 郭凡玉;陳智慧;王新輝;許峰凱;朱蕾
• 申請（專利權）人: 成都天銳星通科技有限公司
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q21/00
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 榮穎佳

1.一種天線結構，其特征在于，所述天線結構包括饋電結構、輻射貼片、第一饋電探針、第二饋電探針、第三饋電探針以及功分器，所述第一饋電探針、所述第二饋電探針、所述第三饋電探針以及所述功分器均與所述輻射貼片連接，所述第一饋電探針、所述第二饋電探針、所述第三饋電探針均分別與所述功分器的支路連接，所述饋電結構與所述功分器的合口連接，其中，

所述第一饋電探針、所述第二饋電探針以及所述第三饋電探針呈等邊三角形排布，以使所述第一饋電探針、所述第二饋電探針以及所述第三饋電探針的饋電相位差依次增加120°；其中，

所述饋電結構包括饋電線、類同軸內導體、類同軸外導體以及耦合縫隙，所述類同軸內導體分別與所述類同軸外導體、所述饋電線連接，所述饋電線與所述功分器的合口通過所述耦合縫隙實現耦合，并進行射頻信號的傳輸；

所述天線結構還包括第一介質層、第二介質層以及第三介質層，所述第一介質層、所述第二介質層以及所述第三介質層逐層連接；

所述第三介質層包括第一子介質層、第二子介質層、第三子介質層、第四子介質層以及第五子介質層，所述第一子介質層、所述第二子介質層、所述第三子介質層、所述第四子介質層以及所述第五子介質層逐層連接；

所述類同軸外導體穿過所述第一子介質層、所述第二子介質層、所述第三子介質層以及所述第四子介質層；所述類同軸內導體穿過所述第一子介質層、所述第二子介質層、所述第三子介質層、所述第四子介質層以及所述第五子介質層；

所述第二介質層包括金屬層，在每個所述子介質層上設置通孔后壓合形成所述第三介質層。

2.如權利要求1所述的天線結構，其特征在于，所述第一介質層包括第六子介質層與第七子介質層，在所述第六子介質層與所述第七子介質層上設置通孔后壓合形成所述第一介質層。

3.如權利要求1所述的天線結構，其特征在于，所述功分器包括三合一功分器。

4.一種相控陣天線，其特征在于，所述相控陣天線包括多個如權利要求1至3任一項所述的天線結構，多個所述天線結構旋轉拼接組成所述相控陣天線。

5.如權利要求4所述的相控陣天線，其特征在于，每個所述天線結構的旋轉角度與饋電相位滿足公式：

其中，表示天線結構的旋轉角度，表示天線結構的饋電相位，m=1、2…M，P≠M/2，P=2n，n表示1~M的隨機數，M表示天線結構的數量。

6.如權利要求5所述的相控陣天線，其特征在于，M=8，P=2。