[發明專利]一種微透鏡陣列基板、3D顯示裝置及其制備方法有效
| 申請號: | 202110418892.7 | 申請日: | 2021-04-19 |
| 公開(公告)號: | CN113050204B | 公開(公告)日: | 2023-09-29 |
| 發明(設計)人: | 宋夢亞;郭康;李多輝;谷新;張鋒;王美麗 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G02B3/00 | 分類號: | G02B3/00;G02B30/27 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 曹娜 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 透鏡 陣列 顯示裝置 及其 制備 方法 | ||
本發明涉及3D顯示技術領域,具體涉及一種微透鏡陣列基板、3D顯示裝置及其制備方法。該微透鏡陣列基板包括:基板,所述基板上間隔設置有多個透鏡,每相鄰兩個所述透鏡之間均設有納米吸收體陣列結構,每個納米吸收體均包括:從下至上依次層疊設置的金屬基底層、介質中間層以及金屬納米結構層,所述金屬納米結構層由耐高溫材料制成;綜上所述,本申請采用耐高溫的納米吸收體陣列結構作為遮光層,可以有效避免在進行透鏡制備過程中出現遮光層熔化的現象,保證透鏡陣列的透過率,提高顯示效果。
技術領域
本發明涉及3D顯示技術領域,具體涉及一種微透鏡陣列基板、3D顯示裝置及其制備方法。
背景技術
在液晶顯示器(Liquid?Crystal?Display,LCD)的顯示面板中,BM(Black?Matrix,黑矩陣)圖案通常設置于彩膜(Color?Filter,CF)基板一側,主要起到遮光作用,防止背光在透過液晶層和紅、綠、藍三種色阻圖案后產生混光現象,以避免顯示異常;BM(BlackMatrix,黑矩陣)圖案本身具有反光效果,能夠對入射到其表面的光進行反射;目前,黑矩陣主要成分為黑色矩陣聚合物。
如圖1所示,基于現有技術中微透鏡基板制作的工藝路線可以看出,首先是在基板上制作黑色矩陣聚合物(BM),之后再進行透鏡制備,但是由于透鏡制備往往需要在高溫條件下進行,例如采用熱回流技術,這將導致已經預先制備完成的黑色矩陣聚合物的邊緣部分熔化并向兩邊流動,具體請參照如圖2所示的掃描電鏡圖,從而降低透鏡陣列的透過率,影響顯示效果。
發明內容
本申請的目的在于提供一種微透鏡陣列基板、3D顯示裝置及其制備方法,以解決現有技術中由黑色矩陣聚合物構成的遮光層在高溫環境下容易融化的技術問題。
(一)技術方案
為實現上述目的,本發明第一方面提供了一種微透鏡陣列基板,包括:基板,所述基板上間隔設置有多個透鏡,每相鄰兩個所述透鏡之間均設有納米吸收體陣列結構,每個納米吸收體均包括:從下至上依次層疊設置的金屬基底層、介質中間層以及金屬納米結構層,所述金屬納米結構層由耐高溫材料制成。
可選的,所述金屬納米結構層由高折射率材料制成。
可選的,所述金屬納米結構層設置為鈦金屬。
可選的,所述金屬基底層設置為鋁金屬,所述介質中間層設置為二氧化硅。
可選的,所述金屬納米結構層的尺寸與所述介質中間層的尺寸相等,且均小于所述金屬基底層的尺寸。
可選的,所述金屬納米結構層的高度為20nm。
可選的,所述介質中間層的高度為80nm,且所述介質中間層的寬度為190nm。
可選的,所述金屬基底層的高度為200nm,且所述金屬基底層的寬度為250nm。
可選的,多個所述透鏡的外側設有低折平坦層。
可選的,所述平坦層外側設有保護層。
為實現上述目的,本發明第二方面提供了一種3D顯示裝置,包括:顯示屏以及如前述中任一項所述的微透鏡陣列基板,所述微透鏡陣列基板設置于所述顯示屏的出光面一側。
為實現上述目的,本發明第三方面提供了一種微透鏡陣列基板的制備方法,所述方法包括:
提供一個基板;
制備出多個納米吸收體陣列結構;
將多個所述納米吸收體陣列結構間隔設置于所述基板上;
在每相鄰兩個所述納米吸收體陣列結構之間均形成有透鏡。
可選的,所述制備出納米吸收體陣列結構的步驟中,所述方法具體包括:
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