[發明專利]一種微透鏡陣列基板、3D顯示裝置及其制備方法

有效

• 申請號: 202110418892.7
• 申請日: 2021-04-19
• 公開（公告）號: CN113050204B
• 公開（公告）日: 2023-09-29
• 發明（設計）人: 宋夢亞;郭康;李多輝;谷新;張鋒;王美麗
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02B3/00
• 分類號: G02B3/00;G02B30/27
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 曹娜

1.一種微透鏡陣列基板，其特征在于，包括：基板(1)，所述基板(1)上間隔設置有多個透鏡(2)，每相鄰兩個所述透鏡(2)之間均設有納米吸收體?(6)，每個納米吸收體(6)均包括：從下至上依次層疊設置的金屬基底層(3)、介質中間層(4)以及金屬納米結構層(5)，所述金屬納米結構層(5)由耐高溫材料制成；所述介質中間層(4)和金屬納米結構層(5)的尺寸相等，且均小于所述金屬基底層(3)的尺寸，所述介質中間層(4)和金屬納米結構層(5)均為圓柱體或長方體的結構設置；

多個所述透鏡(2)的外側設有低折平坦層(7)；

其中，多個納米吸收體(6)作為微透鏡陣列基板的遮光層，折射率在1.5～1.8；所述低折平坦層(7)的膜厚為5～30μm，折射率在1.3～1.6；所述透鏡(2)和所述低折平坦層(7)的折射率差大于0.1；

所述金屬納米結構層(5)由高折射率材料制成；

所述金屬納米結構層(5)設置為鈦金屬；

所述金屬基底層(3)設置為鋁金屬，所述介質中間層(4)設置為二氧化硅；

所述金屬納米結構層(5)的高度為20nm；

所述介質中間層(4)的高度為80nm，且所述介質中間層(4)的寬度為190nm；

所述金屬基底層(3)的高度為200nm，且所述金屬基底層(3)的寬度為250nm。

2.根據權利要求1所述的微透鏡陣列基板，其特征在于，所述平坦層外側設有保護層(8)。

3.一種3D顯示裝置，其特征在于，包括：顯示屏以及如權利要求1-2中任一項所述的微透鏡陣列基板，所述微透鏡陣列基板設置于所述顯示屏的出光面一側。

4.一種微透鏡陣列基板的制備方法，應用于如權利要求1-2任一項所述的微透鏡陣列基板，其特征在于，所述方法包括：

提供一個基板(1)；

制備出多個納米吸收體?(6)；

將多個所述納米吸收體?(6)間隔設置于所述基板(1)上；

在每相鄰兩個所述納米吸收體?(6)之間均形成有透鏡(2)。

5.根據權利要求4所述的微透鏡陣列基板的制備方法，其特征在于，所述制備出多個納米吸收體?(6)的步驟中，所述方法具體包括：

在所述基板(1)上沿著出光方向依次沉積有金屬基底層(3)、介質中間層(4)以及金屬納米結構層(5)；

在所述金屬納米結構層(5)的外側旋涂一層納米壓印膠（10）；

將所述納米壓印膠（10）制備成作為掩膜板的壓印膠納米結構；

按照所述壓印膠納米結構對所述金屬納米結構層(5)以及介質中間層(4)進行刻蝕，以形成納米吸收體?(6)。

6.根據權利要求5所述的微透鏡陣列基板的制備方法，其特征在于，所述金屬基底層(3)設置為高度為200nm的鋁金屬；所述介質中間層(4)設置為高度為80nm的二氧化硅；所述金屬納米結構層(5)設置為高度為20?nm的鈦金屬。