[發明專利]氧化物薄膜晶體管、陣列基板、制備方法及顯示面板

在審

• 申請號: 202110417709.1
• 申請日: 2021-04-19
• 公開（公告）號: CN113130327A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 王利忠;寧策;邸云萍;童彬彬;張震;張振宇;李付強
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/34
• 分類號: H01L21/34;H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;G02F1/1362
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 楊廣宇

1.一種氧化物薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

在襯底基板的一側形成第一絕緣層，所述第一絕緣層的材料包括氫元素；

在所述第一絕緣層遠離所述襯底基板的一側形成第二絕緣層，所述第二絕緣層具有第一過孔和多個第二過孔；

在所述第二絕緣層遠離襯底基板的一側形成金屬氧化物結構，所述金屬氧化物結構包括依次連接的第一結構，第二結構以及第三結構，所述第一結構的至少部分位于所述第一過孔內且與所述第一絕緣層接觸，所述第三結構的至少部分位于所述第二過孔內且與所述第一絕緣層接觸；

對所述第一絕緣層進行加熱，使得所述第一絕緣層中的氫元素擴散至所述第一結構和所述第三結構，以對所述第一結構和所述第三結構進行導體化，得到所述氧化物薄膜晶體管中的金屬氧化物圖案。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在襯底基板的一側形成第一絕緣層，包括：

采用硅烷和氨氣反應以在襯底基板的一側形成第一絕緣層，所述第一絕緣層的材料還包括氮化硅。

3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，在所述第一絕緣層遠離所述襯底基板的一側形成第二絕緣層，包括：

在所述第一絕緣層遠離所述襯底基板的一側形成絕緣材料層；

對所述絕緣材料層進行刻蝕，得到形成有所述第一過孔和所述第二過孔的第二絕緣層。

4.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，在襯底基板的一側形成第一絕緣層之前，所述方法還包括：

在襯底基板的一側形成第一柵極圖案；

其中，所述第一柵極圖案在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述第二結構在所述襯底基板上的正投影。

5.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一襯底基板；

采用如權利要求1至4任一所述的方法，在所述襯底基板上形成多個氧化物薄膜晶體管。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，在形成所述氧化物薄膜晶體管中的第二絕緣層之前，所述方法還包括：

在所述氧化物薄膜晶體管中第一絕緣層遠離所述襯底基板的一側形成多個數據線；

其中，所述氧化物薄膜晶體管中第二絕緣層中的第一過孔用于露出一個所述數據線的至少部分，所述氧化物薄膜晶體管的金屬氧化物圖案中導體化后的第一結構通過所述第一過孔與所述數據線電連接。

7.根據權利要求5或6所述的制備方法，其特征在于，在形成用于形成氧化物薄膜晶體管的金屬氧化物圖案的金屬氧化物結構之前，所述方法還包括：

在所述襯底基板的一側形成彩膜層；

其中，所述彩膜層包括與所述多個氧化物薄膜晶體管一一對應的不同顏色的多個色阻塊，每個所述色阻塊在所述襯底基板上的正投影與對應的所述氧化物薄膜晶體管的金屬氧化物圖案中導體化后的第三結構在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。

8.根據權利要求5或6所述的制備方法，其特征在于，在形成所述氧化物薄膜晶體管中的第一柵極圖案之前，所述方法還包括：

在所述襯底基板的一側形成沿像素行方向延伸的多個掃描線；

其中，所述第一柵極圖案在所述襯底基板上的正投影沿像素列方向的長度，大于所述掃描線在所述襯底基板上的正投影沿所述像素列方向的長度。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述襯底基板具有顯示區域以及位于所述顯示區域一側的周邊區域；所述陣列基板包括的所述多個氧化物薄膜晶體管位于所述顯示區域；所述方法還包括：

在所述周邊區域形成多個多晶硅薄膜晶體管，每個所述多晶硅薄膜晶體管包括有源圖案，第二柵極圖案以及源漏極圖案；

其中，所述第二柵極圖案與所述多個掃描線位于同層，所述源漏極圖案與所述陣列基板的多個數據線位于同層，且所述源漏極圖案與所述有源圖案電連接。