[發明專利]氧化物薄膜晶體管、陣列基板、制備方法及顯示面板

在審

• 申請號: 202110417709.1
• 申請日: 2021-04-19
• 公開（公告）號: CN113130327A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 王利忠;寧策;邸云萍;童彬彬;張震;張振宇;李付強
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/34
• 分類號: H01L21/34;H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;G02F1/1362
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 楊廣宇

本申請公開了一種氧化物薄膜晶體管、陣列基板、制備方法及顯示面板，涉及顯示技術領域。該制備方法在依次形成第一絕緣層，第二絕緣層以及金屬氧化物結構之后，可以對第一絕緣層進行加熱，以使得第一絕緣層中的氫元素擴散至與該第一絕緣層接觸的金屬氧化物結構中的第一結構和第三結構中，以實現對該第一結構和第三結構的導體化，從而得到金屬氧化物圖案。本申請提供的制備方法無需設置導體化掩膜板以實現第一結構和第三結構的導體化，所需的掩膜板的數量較少，制備成本較低。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，特別涉及一種氧化物薄膜晶體管、陣列基板、制備方法及顯示面板。

背景技術

氧化物薄膜晶體管因其漏電流低以及透過率高等特點而在顯示面板中得到了廣泛的應用。其中，氧化物薄膜晶體管通常包括金屬氧化物圖案。

相關技術中，在制備氧化物薄膜晶體管中的金屬氧化物圖案時，需先在襯底基板上形成金屬氧化物薄膜，然后在金屬氧化物薄膜遠離襯底基板的一側設置圖案化掩膜板，以對金屬氧化物膜層進行圖案化處理得到金屬氧化物結構a。之后，需采用導體化掩膜板遮擋金屬氧化物結構的部分區域，并向未被導體化掩膜板遮擋的區域注入離子，實現對該未被遮擋的區域的導體化，以得到金屬氧化物圖案。

但是，由于上述制備方法所需的掩膜板的數量較多，制備成本較高。

發明內容

本申請提供了一種氧化物薄膜晶體管、陣列基板、制備方法及顯示面板，可以解決相關技術中制備成本較高的問題。所述技術方案如下：

一方面，提供了一種氧化物薄膜晶體管的制備方法，所述方法包括：

在襯底基板的一側形成第一絕緣層，所述第一絕緣層的材料包括氫元素；

在所述第一絕緣層遠離所述襯底基板的一側形成第二絕緣層，所述第二絕緣層具有第一過孔和多個第二過孔；

在所述第二絕緣層遠離襯底基板的一側形成金屬氧化物結構，所述金屬氧化物結構包括依次連接的第一結構，第二結構以及第三結構，所述第一結構的至少部分位于所述第一過孔內且與所述第一絕緣層接觸，所述第三結構的至少部分位于所述第二過孔內且與所述第一絕緣層接觸；

對所述第一絕緣層進行加熱，使得所述第一絕緣層中的氫元素擴散至所述第一結構和所述第三結構，以對所述第一結構和所述第三結構進行導體化，得到所述氧化物薄膜晶體管中的金屬氧化物圖案。

可選的，在襯底基板的一側形成第一絕緣層，包括：

采用硅烷和氨氣反應以在襯底基板的一側形成第一絕緣層，所述第一絕緣層的材料還包括氮化硅。

可選的，在所述第一絕緣層遠離所述襯底基板的一側形成第二絕緣層，包括：

在所述第一絕緣層遠離所述襯底基板的一側形成絕緣材料層；

對所述絕緣材料層進行刻蝕，得到形成有所述第一過孔和所述第二過孔的第二絕緣層。

可選的，在襯底基板的一側形成第一絕緣層之前，所述方法還包括：

在襯底基板的一側形成第一柵極圖案；

其中，所述第一柵極圖案在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述第二結構在所述襯底基板上的正投影。

另一方面，提供了一種陣列基板的制備方法，所述方法包括：

提供一襯底基板；

采用如上述方面所述的方法，在所述襯底基板上形成多個氧化物薄膜晶體管。

可選的，在形成所述氧化物薄膜晶體管中的第二絕緣層之前，所述方法還包括：

在所述氧化物薄膜晶體管中第一絕緣層遠離所述襯底基板的一側形成多個數據線；