[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置在審
| 申請號: | 202110417335.3 | 申請日: | 2021-04-19 |
| 公開(公告)號: | CN113140575A | 公開(公告)日: | 2021-07-20 |
| 發明(設計)人: | 張震;李付強;張振宇;王利忠;邸云萍;寧策;方正;張晨陽;王亞薇;王瑋;王洪潤;童彬彬;姚念琦;韓佳慧;徐成福;梁蓬霞 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人: | 楊廣宇 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制備 方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本申請公開了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置,涉及顯示技術領域。該陣列基板中包括彩膜層,因此位于襯底基板遠離彩膜層的一側的光源與彩膜層之間的距離可以較近,可以避免每個色阻塊所在區域的光線從相鄰色阻塊射出,進而避免顯示面板出現串色現象,顯示面板的顯示效果較好。并且,色阻塊與氧化物薄膜晶體管中金屬氧化物圖案的第二部分至少部分重疊,可以減小該氧化物薄膜晶體管和彩膜層的占用空間,便于高像素密度顯示面板的實現。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,特別涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置。
背景技術
隨著顯示技術的不斷發展,市場對顯示面板的高像素密度(pixels per inch,PPI)的需求越來越高。
相關技術中,顯示面板包括驅動電路,以及多個不同顏色的子像素,每個子像素均可以在驅動電路的驅動下發光,實現顯示面板的彩色顯示。
但是,由于高PPI顯示面板中子像素的尺寸較小,且相鄰子像素之間的間距較近,因此各個子像素發出的光線容易出現串色現象,影響顯示面板的顯示效果。
發明內容
本申請提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置,可以解決相關技術中顯示面板的顯示效果較差的問題。所述技術方案如下:
一方面,提供了一種陣列基板,所述陣列基板包括:
襯底基板,所述襯底基板具有顯示區域;
位于所述顯示區域的間隔的多個氧化物薄膜晶體管,每個所述氧化物薄膜晶體管包括金屬氧化物圖案,所述金屬氧化物圖案具有依次連接的第一部分,溝道部分,以及第二部分,所述第一部分用于接收數據信號;
以及,位于所述顯示區域的彩膜層,所述彩膜層位于所述金屬氧化物圖案與所述襯底基板之間,所述彩膜層包括與所述多個氧化物薄膜晶體管一一對應的不同顏色的多個色阻塊,每個所述色阻塊在所述襯底基板上的正投影與對應的所述氧化物薄膜晶體管中所述第二部分在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。
可選的,所述第一部分的導電性和所述第二部分的導電性均大于所述溝道部分的導電性。
可選的,所述陣列基板還包括:多個數據線以及第一絕緣層;
所述多個數據線位于所述金屬氧化物圖案與所述襯底基板之間,所述第一絕緣層位于所述多個數據線與所述金屬氧化物圖案之間,且所述第一絕緣層具有多個第一過孔;
其中,每個所述數據線通過至少一個所述第一過孔與至少一個所述氧化物薄膜晶體管的所述第一部分電連接。
可選的,所述第一絕緣層為位于所述多個數據線和所述彩膜層之間的第一鈍化層;
其中,所述第二部分的目標部分靠近所述襯底基板的一面與所述襯底基板之間的距離,大于所述第一部分靠近所述襯底基板的一面與所述襯底基板之間的距離,且大于所述溝道部分靠近所述襯底基板的一面與所述襯底基板之間的距離,所述目標部分為所述第二部分在所述襯底基板上的正投影中與所述色阻塊在所述襯底基板上的正投影重疊的部分。
可選的,所述第一絕緣層包括:位于所述多個數據線和所述彩膜層之間的第一鈍化層,位于所述彩膜層和所述金屬氧化物圖案之間的平坦層,以及位于所述平坦層和所述金屬氧化物圖案的第二鈍化層。
可選的,所述陣列基板還包括:位于所述第二部分遠離所述襯底基板的一側的第二絕緣層,以及位于所述第二絕緣層遠離所述襯底基板的一側的公共電極;
其中,所述公共電極在所述襯底基板上的正投影,與所述第二部分在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊,所述第二部分用于作為像素電極與所述公共電極共同驅動液晶偏轉。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





