[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置

在審

• 申請號: 202110417335.3
• 申請日: 2021-04-19
• 公開（公告）號: CN113140575A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 張震;李付強;張振宇;王利忠;邸云萍;寧策;方正;張晨陽;王亞薇;王瑋;王洪潤;童彬彬;姚念琦;韓佳慧;徐成福;梁蓬霞
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 楊廣宇

1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：

襯底基板，所述襯底基板具有顯示區域；

位于所述顯示區域的間隔的多個氧化物薄膜晶體管，每個所述氧化物薄膜晶體管包括金屬氧化物圖案，所述金屬氧化物圖案具有依次連接的第一部分，溝道部分，以及第二部分，所述第一部分用于接收數據信號；

以及，位于所述顯示區域的彩膜層，所述彩膜層位于所述金屬氧化物圖案與所述襯底基板之間，所述彩膜層包括與所述多個氧化物薄膜晶體管一一對應的不同顏色的多個色阻塊，每個所述色阻塊在所述襯底基板上的正投影與對應的所述氧化物薄膜晶體管中所述第二部分在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一部分的導電性和所述第二部分的導電性均大于所述溝道部分的導電性。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：多個數據線以及第一絕緣層；

所述多個數據線位于所述金屬氧化物圖案與所述襯底基板之間，所述第一絕緣層位于所述多個數據線與所述金屬氧化物圖案之間，且所述第一絕緣層具有多個第一過孔；

其中，每個所述數據線通過至少一個所述第一過孔與至少一個所述氧化物薄膜晶體管的所述第一部分電連接。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一絕緣層為位于所述多個數據線和所述彩膜層之間的第一鈍化層；

其中，所述第二部分的目標部分靠近所述襯底基板的一面與所述襯底基板之間的距離，大于所述第一部分靠近所述襯底基板的一面與所述襯底基板之間的距離，且大于所述溝道部分靠近所述襯底基板的一面與所述襯底基板之間的距離，所述目標部分為所述第二部分在所述襯底基板上的正投影中與所述色阻塊在所述襯底基板上的正投影重疊的部分。

5.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一絕緣層包括：位于所述多個數據線和所述彩膜層之間的第一鈍化層，位于所述彩膜層和所述金屬氧化物圖案之間的平坦層，以及位于所述平坦層和所述金屬氧化物圖案的第二鈍化層。

6.根據權利要求1至5任一所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：位于所述第二部分遠離所述襯底基板的一側的第二絕緣層，以及位于所述第二絕緣層遠離所述襯底基板的一側的公共電極；

其中，所述公共電極在所述襯底基板上的正投影，與所述第二部分在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊，所述第二部分用于作為像素電極與所述公共電極共同驅動液晶偏轉。

7.根據權利要求1至5任一所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：位于所述金屬氧化物圖案遠離所述襯底基板的一側且沿遠離所述襯底基板的方向依次層疊的第三絕緣層，像素電極，第四絕緣層以及公共電極，所述像素電極在所述襯底基板上的正投影，與所述公共電極在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊；

其中，所述第三絕緣層具有多個第二過孔，每個所述第二過孔用于露出一個所述氧化物薄膜晶體管的所述第二部分的至少部分，所述像素電極通過所述第二過孔與所述第二部分電連接。

8.根據權利要求1至5任一所述的陣列基板，其特征在于，每個所述氧化物薄膜晶體管還包括：位于所述顯示區域的第一柵極圖案；所述陣列基板還包括：第五絕緣層；所述第一柵極圖案位于所述金屬氧化物圖案與所述襯底基板之間，所述第五絕緣層位于所述第一柵極圖案與所述金屬氧化物圖案之間；

其中，每個所述氧化物薄膜晶體管中，所述第一柵極圖案在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述金屬氧化物圖案中所述溝道部分在所述襯底基板上的正投影。

9.根據權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：沿像素行方向延伸的多個掃描線；

所述多個掃描線位于所述第一柵極圖案靠近所述襯底基板的一側，且每個所述掃描線與至少一個所述氧化物薄膜晶體管的所述第一柵極圖案至少部分接觸，所述第一柵極圖案在所述襯底基板上的正投影沿像素列方向的長度，大于所述掃描線在所述襯底基板上的正投影沿所述像素列方向的長度。