[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110412708.8
• 申請(qǐng)日: 2021-04-16
• 公開（公告）號(hào): CN113745216A
• 公開（公告）日: 2021-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沙哈吉·B·摩爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/088
• 分類號(hào): H01L27/088;H01L27/092;H01L21/8234;H01L21/8238
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

多個(gè)納米結(jié)構(gòu)，位于襯底上；

源極/漏極區(qū)，與所述多個(gè)納米結(jié)構(gòu)接觸，所述源極/漏極區(qū)包括：

多個(gè)外延端帽，其中，每個(gè)外延端帽形成在所述多個(gè)納米結(jié)構(gòu)的一個(gè)納米結(jié)構(gòu)的端部處；

外延體，與所述多個(gè)外延端帽接觸；以及

外延頂帽，形成在所述外延體上；以及

柵極結(jié)構(gòu)，形成在所述多個(gè)納米結(jié)構(gòu)上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述多個(gè)外延端帽的每個(gè)外延端帽包括月牙形截面形狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述多個(gè)納米結(jié)構(gòu)的每個(gè)納米結(jié)構(gòu)包括非平坦外表面，并且所述多個(gè)端帽的每個(gè)外延端帽包括與所述非平坦外表面輪廓化的內(nèi)表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括多個(gè)內(nèi)部間隔件，其中，所述多個(gè)內(nèi)部間隔件的一個(gè)內(nèi)部間隔件形成在所述多個(gè)納米結(jié)構(gòu)的相鄰的納米結(jié)構(gòu)之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述多個(gè)外延端帽的外延端帽與所述內(nèi)部間隔件接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括形成在所述襯底的凹穴中的外延基底，其中，所述外延基底和所述多個(gè)外延端帽使用相同的材料形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述外延體包括第一鍺原子濃度，并且所述外延基底包括低于所述第一鍺原子濃度的第二鍺原子濃度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述外延體包括第一鍺原子濃度，并且所述多個(gè)外延端帽包括低于所述第一鍺原子濃度的第二鍺原子濃度。

9.一種半導(dǎo)體器件，包括：

多個(gè)納米結(jié)構(gòu)，其中，所述多個(gè)納米結(jié)構(gòu)的一個(gè)納米結(jié)構(gòu)包括非平坦的外表面；

柵極介電層，環(huán)繞包裹所述多個(gè)納米結(jié)構(gòu)的每個(gè)納米結(jié)構(gòu)；

柵電極，設(shè)置在所述柵極介電層上和所述多個(gè)納米結(jié)構(gòu)上；

源極/漏極區(qū)，與所述多個(gè)納米結(jié)構(gòu)接觸，所述源極/漏極區(qū)包括：

多個(gè)外延端帽，其中，外延端帽形成在所述納米結(jié)構(gòu)的端部處并且包括第一摻雜劑濃度；以及

外延體，與所述外延端帽接觸，并且所述外延體包括大于所述第一摻雜劑濃度的第二摻雜劑濃度。

10.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在襯底上形成多個(gè)納米結(jié)構(gòu)；

形成多個(gè)間隔件，其中，每個(gè)間隔件位于所述多個(gè)納米結(jié)構(gòu)的納米結(jié)構(gòu)對(duì)之間；

蝕刻所述襯底以形成凹槽；

在所述多個(gè)納米結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上、所述多個(gè)間隔件的側(cè)壁上以及在所述凹槽中沉積第一外延層；

蝕刻所述第一外延層以在所述凹槽中形成多個(gè)外延端帽和外延基底，其中，每個(gè)外延端帽形成在所述多個(gè)納米結(jié)構(gòu)的納米結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上，并且所述外延基底與所述多個(gè)間隔件的間隔件接觸；

在所述多個(gè)端帽和所述外延基底上沉積第二外延層；

蝕刻所述第二外延層；以及

在蝕刻的所述第二外延層上沉積第三外延層。