[發(fā)明專利]薄膜參比電極及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110412529.4 | 申請日： | 2021-04-16 |
| 公開（公告）號： | CN113514520B | 公開（公告）日： | 2022-11-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 褚政宇;許睿;張強;歐陽明高 | 申請（專利權(quán)）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | G01N27/30 | 分類號： | G01N27/30;H01M10/48;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京眾合誠成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246 | 代理人： | 陳波 |
| 地址： | 10008*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 薄膜 參比電極 及其 制備 方法 | ||
1.一種薄膜參比電極的制備方法，所述薄膜參比電極包括參比活性材料、絕緣薄膜、微納米導電網(wǎng)絡(luò)多孔層和導電極耳，其特征在于，包括：
第一步，處理參比活性材料，在活性材料中加入導電劑和粘結(jié)劑，加入溶劑后，放入勻漿機攪拌；
第二步，預處理絕緣薄膜材料，通過去離子水清洗、烘干；
第三步，微納米導電網(wǎng)絡(luò)多孔層的形成，在低水低氧環(huán)境下，通過涂覆、噴涂、浸潤、蒸鍍或磁控濺射法將微納米導電材料附著在預處理后的絕緣薄膜材料上，形成微納米導電網(wǎng)絡(luò)多孔層；
第四步，極耳的形成，從微納米導電網(wǎng)絡(luò)多孔層通過超聲焊接引出金屬導體，構(gòu)成參比電極極耳；
第五步，參比活性材料的附著，在低水低氧環(huán)境下，通過涂覆、噴涂、浸潤、蒸鍍或磁控濺射法將參比活性材料附著在預處理后的絕緣薄膜材料上，形成多孔參比活性材料層；
第六步，薄膜參比電極的形成，在多孔參比活性材料的另一面采用第五步的同樣方法附著同樣的絕緣薄膜材料，形成“隔膜-多孔材料-隔膜”的“三明治”結(jié)構(gòu)的薄膜參比電極 ；
第七步，干燥。
2.權(quán)利要求1所述薄膜參比電極的制備方法，其特征在于：所述第三步中形成總厚度在1微米至20微米之間的微納米導電網(wǎng)絡(luò)多孔層。
3.采用權(quán)利要求1或2所述薄膜參比電極的制備方法制備的薄膜參比電極。
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