[發明專利]半導體結構及制造多個半導體結構的方法

在審

• 申請號: 202110412031.8
• 申請日: 2021-04-16
• 公開（公告）號: CN113629048A
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發明（設計）人: 陳文良;馬林
• 申請（專利權）人: 愛普科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18;H01L25/065;H01L23/48;H01L21/768;H01L21/98
• 代理公司: 北京威禾知識產權代理有限公司 11838
• 代理人: 王月玲

1.一種半導體結構，其包含：

一第一混合鍵合結構，其具有一第一表面和一第二表面；

一存儲器結構，其接觸該第一表面；及

一控制電路結構，其用于控制該存儲器結構，并接觸該第二表面。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其中該第二表面是較靠近于該控制電路結構的一后段制程結構，并較遠離該控制結構的一前段制程結構。

3.如權利要求1所述的半導體結構，其中該第二表面是較靠近于該控制電路結構的一前段制程結構，并較遠離該控制結構的一后段制程結構。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其中該存儲器結構包含垂直堆疊的多個存儲器晶粒，且至少二存儲器晶粒是經一第二混合鍵合結構而混合鍵合。

5.如權利要求4所述的半導體結構，其中所述這些存儲器晶粒的一頂部存儲器晶粒的厚度，是大于設置于該頂部存儲器晶粒及該控制電路結構之間的所述這些存儲器晶粒其中的一者的厚度。

6.如權利要求1所述的半導體結構，其中該存儲器結構及該控制電路結構是經該第一混合鍵合結構而垂直鍵合，該存儲器結構具有一第一側表面，該第一混合鍵合結構具有一第二側表面，且該控制電路結構具有一第三側表面，且該第一側表面、該第二側表面及該第三側表面是實質上于一剖視視角度形成一連續線。

7.如權利要求6所述的半導體結構，其中該半導體結構進一步包含一第一穿透通孔，且該控制電路結構進一步包含一第二穿透通孔，且該第一混合鍵合結構包含：

一第一混合鍵合部分，其具有多個第一導電通孔及一第一鍵合墊，其中該第一穿透通孔是耦接于所述這些第一導電通孔的多個第一端，且該第一鍵合墊是接觸于所述這些第一導電通孔的多個第二端；及

一第二混合鍵合部分，其具有多個第二導電通孔及一第二鍵合墊，其中該第二鍵合墊是接觸于該第一鍵合墊，該第二穿透通孔是耦接于所述這些第二導電通孔的多個第一端，且該第二鍵合墊是接觸于所述這些第二導電通孔的多個第二端。

8.如權利要求7所述的半導體結構，其中該第一混合鍵合部分進一步包含一第三鍵合墊，且該第二混合鍵合部分進一步包含一第四鍵合墊接觸于該第三鍵合墊，其中，該第三鍵合墊及該第四鍵合墊是電性斷接于該存儲器結構以及該控制電路結構。

9.如權利要求7所述的半導體結構，其中該第二穿透通孔是一半穿透通孔，其一端接觸于一后段制程金屬線。

10.一種系統級封裝結構，其包含：

一第一半導體結構，其具有一第一臨界尺寸；

一第二半導體結構，其與該第一半導體結構相堆疊，其具有一第二臨界尺寸且經一混合鍵合界面而與該第一半導體結構相接觸；及

一基板，其經一第一導電凸塊而電性連接于該第一半導體結構及該第二半導體結構；

其中，該第一臨界尺寸不同于該第二臨界尺寸。

11.如權利要求10所述的系統級封裝結構，進一步包含：

一第三半導體結構，其一第二導電凸塊而電性連接于該第一半導體結構及該第二半導體結構，其中該第三半導體結構具有一第三臨界尺寸小于該第一臨界尺寸；及

一中介板，其支撐該第一半導體結構、該第二半導體結構及該第三半導體結構，并與該基板相連接。

12.如權利要求10所述的系統級封裝結構，進一步包含一第一鍵合墊位于該混合鍵合界面，其在該混合鍵合界面與一第二鍵合墊相接觸，其中該第一鍵合墊是電性連接于該第一半導體結構的一第一硅穿透通孔，及該第二鍵合墊是電性連接于該第二半導體結構的一第二硅穿透通孔。

13.如權利要求10所述的系統級封裝結構，其中該第一臨界尺寸小于該第二臨界尺寸。