[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體模塊在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110410365.1 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113013147A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-06-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 童顏;劉克明;王蕤;潘政薇;劉旭光;姚二現(xiàn);張大華;董長(zhǎng)城 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南瑞聯(lián)研半導(dǎo)體有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01L25/07 | 分類號(hào): | H01L25/07;H01L23/48;H01L23/16 |
| 代理公司: | 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224 | 代理人: | 邵斌 |
| 地址: | 211100 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 半導(dǎo)體 模塊 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)領(lǐng)域的一種半導(dǎo)體模塊,采用柔性壓接,芯片受力均勻,抗壓能力強(qiáng)。包括管殼,所述管殼的一端與模塊發(fā)射極導(dǎo)電體滑動(dòng)連接,另一端與模塊集電極導(dǎo)電體滑動(dòng)連接;在所述模塊發(fā)射極導(dǎo)電體和所述模塊集電極導(dǎo)電體之間設(shè)有承壓限位框,所述承壓限位框的一端與所述模塊集電極導(dǎo)電體固定連接,所述承壓限位框包括多個(gè)限位單元,每個(gè)所述限位單元內(nèi)依次設(shè)有集電極導(dǎo)電體、芯片、發(fā)射極導(dǎo)電體、第一導(dǎo)電體和彈性導(dǎo)電組件,所述集電極導(dǎo)電體上遠(yuǎn)離芯片的一端抵接在所述模塊集電極導(dǎo)電體上,所述彈性導(dǎo)電組件上遠(yuǎn)離第一導(dǎo)電體的一端抵接在所述模塊發(fā)射極導(dǎo)電體上。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種半導(dǎo)體模塊。
背景技術(shù)
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)自 1986 年開(kāi)始正式生產(chǎn)并逐漸系列化以來(lái),其封裝質(zhì)量及可靠性一直影響著其在工業(yè)控制,機(jī)車牽引,電力系統(tǒng)等大功率應(yīng)用領(lǐng)域的使用及推廣。現(xiàn)有電力系統(tǒng),機(jī)車牽引等領(lǐng)域的發(fā)展對(duì)IGBT的器件功率提出了更高的要求。目前大功率 IGBT 的封裝通常有兩種形式,一種是底板絕緣模塊式封裝,另外一種為類似晶閘管,平板壓接式封裝。
第一種方案使用加工精度非常高的部件(通常匹配到在1μm之內(nèi)),對(duì)于多芯片壓力接觸設(shè)備要求具有極其嚴(yán)格的平行度、平面度、粗糙度等公差。在物料種類繁多、要求精度高、加工量大的情況下,對(duì)供應(yīng)商及廠商的加工能力、質(zhì)量管控能力等提出了極大的挑戰(zhàn),在大面積的多芯片壓力接觸設(shè)備中也是同樣的情況。夾持部件的嚴(yán)格的平行度、平面度公差公差在大的表面面積上同樣變得更難實(shí)現(xiàn)。第二種方案存在芯片表面的應(yīng)力不均勻的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
為解決現(xiàn)有技術(shù)中的不足,本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體模塊,采用柔性壓接,芯片受力均勻,抗壓能力強(qiáng)。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:一種半導(dǎo)體模塊,包括管殼,所述管殼的一端與模塊發(fā)射極導(dǎo)電體滑動(dòng)連接,另一端與模塊集電極導(dǎo)電體滑動(dòng)連接;在所述模塊發(fā)射極導(dǎo)電體和所述模塊集電極導(dǎo)電體之間設(shè)有承壓限位框,所述承壓限位框的一端與所述模塊集電極導(dǎo)電體固定連接,所述承壓限位框包括多個(gè)限位單元,每個(gè)所述限位單元內(nèi)依次設(shè)有集電極導(dǎo)電體、芯片、發(fā)射極導(dǎo)電體、第一導(dǎo)電體和彈性導(dǎo)電組件,所述集電極導(dǎo)電體上遠(yuǎn)離芯片的一端抵接在所述模塊集電極導(dǎo)電體上,所述彈性導(dǎo)電組件上遠(yuǎn)離第一導(dǎo)電體的一端抵接在所述模塊發(fā)射極導(dǎo)電體上。
進(jìn)一步地,所述模塊發(fā)射極導(dǎo)電體上設(shè)有第一凸緣,固定在所述管殼上的第一擋片搭接在所述第一凸緣上,所述第一擋片與所述模塊發(fā)射極導(dǎo)電體滑動(dòng)連接。
進(jìn)一步地,所述模塊集電極導(dǎo)電體上設(shè)有第二凸緣,固定在所述管殼上的第二擋片搭接在所述第二凸緣上,所述第二擋片與所述模塊集電極導(dǎo)電體滑動(dòng)連接。
進(jìn)一步地,所述管殼的外表面設(shè)有散熱板。
進(jìn)一步地,所述限位單元包括限位框;所述限位框的中心設(shè)有通孔,所述通孔的內(nèi)壁設(shè)有用于承托所述芯片和所述集電極導(dǎo)電體的第一臺(tái)階,以及用于承托所述發(fā)射極導(dǎo)電體的第二臺(tái)階。
進(jìn)一步地,所述彈性導(dǎo)電組件包括導(dǎo)電限位管,所述導(dǎo)電限位管內(nèi)依次設(shè)有導(dǎo)電片、承壓體、碟簧組件和第二導(dǎo)電體,所述第二導(dǎo)電體位于所述導(dǎo)電限位管的開(kāi)口端并與所述導(dǎo)電限位管滑動(dòng)連接;所述第一導(dǎo)電體抵接在所述第二導(dǎo)電體上;多個(gè)所述導(dǎo)電片繞所述導(dǎo)電限位管的軸線對(duì)稱布置,每個(gè)所述導(dǎo)電片與若干個(gè)V形或C形導(dǎo)電體固定連接,多個(gè)所述V形或C形導(dǎo)電體固定在連接板上,所述連接板與所述第二導(dǎo)電體通過(guò)螺栓連接。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于南瑞聯(lián)研半導(dǎo)體有限責(zé)任公司,未經(jīng)南瑞聯(lián)研半導(dǎo)體有限責(zé)任公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110410365.1/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件





