[發明專利]用于利用動態阱提供主字線信號的設備和方法

在審

• 申請號: 202110409789.6
• 申請日: 2021-04-16
• 公開（公告）號: CN113539323A
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: 樸尚堅;T·H·金
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C11/408
• 分類號: G11C11/408;G11C11/4076;G11C11/4074
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請涉及用于利用動態阱提供主字線信號的設備和方法。主字驅動器可耦合到子字驅動器以驅動主字線以選擇所述子字驅動器。所述主字驅動器可包含具有均耦合到阱的主體和源極/漏極的第一晶體管。所述主字驅動器可包含配置成對所述阱加偏壓的阱控制電路。在一些實例中，所述阱控制電路可將第一低電位提供到所述阱，接著響應于預充電命令將低于所述第一電位的第二低電位提供到所述阱。所述主字驅動器可包含耦合到所述阱控制電路的第二晶體管以接收所述第一低電位和所述第二低電位且將所述第一低電位和所述第二低電位耦合到所述主字線。所述第二晶體管的所述主體可耦合到所述阱。所述主字驅動器中的額外晶體管也可耦合到所述阱。

技術領域

本申請涉及用于利用動態阱提供主字線信號的設備和方法。

背景技術

由動態隨機存取存儲器(DRAM)表示的半導體存儲器裝置包含存儲器單元陣列，其具有安置于字線與位線之間的相交點處的存儲器單元。半導體存儲器裝置可包含階層結構化的主字線和子字線。主字線是定位于上部階層處的字線，且由行地址的第一部分來選擇。子字線是定位于下部階層處的字線，且基于對應主字線(MWL)和由行地址的第二部分選擇的字驅動器線(FXL)來選擇。

重復存取特定子字線(通常稱為‘行錘擊’)可造成附近子字線中的數據降級的速率增大。為減小行錘擊事件的效應，低于接地的負電壓可為MWL所需的以便在預充電期間在通常稱作軟著陸電壓(Voff)的某一電壓電平下使子字線驅動器(SWD)放電，這是因為Voff是約300mV且在Voff下的放電需要經由SWD PMOS晶體管進行。半導體中的負電壓可不利地產生負主體到源極電壓(negative body to source voltage)(V_bs)，稱為反向偏壓。反向偏壓由于溝道熱載子(CHC)應力而降低半導體的性能。

發明內容

本公開的一個實施例提供一種設備，其包括：阱；主字驅動器，其配置成驅動主字線，其中主字驅動器包括至少第一晶體管，其中第一晶體管的主體和源極/漏極耦合到阱；和阱控制電路，其耦合到阱且配置成對阱加偏壓。

本公開的另一實施例提供一種方法，其包括：在阱控制電路處提供電壓以對主字驅動器中的阱加偏壓以將主字線信號提供到耦合到主字驅動器的子字驅動器，其中主字驅動器包括至少第一晶體管，其中第一晶體管的主體和源極/漏極耦合到阱。

本公開的又一實施例提供一種設備，其包括：子字驅動器，其配置成驅動子字線；和主字驅動器，其配置成驅動耦合到子字驅動器的主字線，其中主字驅動器配置成將主字線驅動到第一電位且將主字線驅動到低于第一電位的第二電位，其中主字線配置成在第一電位和第二電位下選擇子字驅動器，其中主字驅動器包括至少：第一晶體管，其耦合到主字線以將第一電位和第二電位提供到主字線，和第二晶體管，其耦合到第一晶體管以驅動第一晶體管，其中第二晶體管的主體和源極/漏極耦合到阱。

附圖說明

圖1是根據本公開的實施例的半導體裝置的圖式。

圖2是根據本公開的實施例的半導體裝置的存儲器單元陣列的實例布局的圖式。

圖3是根據本公開的實施例的存儲器單元陣列的排組的實例配置的圖式。

圖4是根據本公開的實施例的存儲器單元陣列的排組的一部分的圖式。

圖5是根據本公開的實施例的主字驅動器的圖式。

圖6是根據本公開的實施例的主字驅動器的圖式。

圖7是根據本公開的實施例的阱控制電路的圖式。

圖8是根據本公開的實施例的在選定驅動器電路的操作期間的各種信號的時序圖。

圖9是根據本公開的實施例的在未選驅動器電路的操作期間的各種信號的時序圖。

具體實施方式