[發明專利]用于利用動態阱提供主字線信號的設備和方法

在審

• 申請號: 202110409789.6
• 申請日: 2021-04-16
• 公開（公告）號: CN113539323A
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: 樸尚堅;T·H·金
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C11/408
• 分類號: G11C11/408;G11C11/4076;G11C11/4074
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種設備，其包括：

阱；

主字驅動器，其配置成驅動主字線，其中所述主字驅動器包括至少第一晶體管，其中所述第一晶體管的主體和源極/漏極耦合到所述阱；和

阱控制電路，其耦合到所述阱且配置成對所述阱加偏壓。

2.根據權利要求1所述的設備，其中所述阱控制電路配置成將所述阱偏壓到第一電位，接著響應于預充電命令將所述阱偏壓到第二電位，其中所述第二電位低于所述第一電位。

3.根據權利要求2所述的設備，其中所述第一電位是接地且所述第二電位是負電壓。

4.根據權利要求2所述的設備，其進一步包括第二晶體管，其中所述第二晶體管的主體耦合到所述阱且所述第二晶體管的源極/漏極耦合到所述阱控制電路。

5.根據權利要求4所述的設備，其中所述阱控制電路進一步配置成響應于所述預充電命令而將所述第二電位提供到所述第二晶體管的所述源極/漏極。

6.根據權利要求5所述的設備，其中所述阱控制電路配置成接收第一控制信號和第二控制信號以提供所述第一電位和所述第二電位，其中：

所述第一控制信號響應于所述預充電命令而是作用中的；且

所述第二控制信號響應于作用中行主字線信號而是作用中的。

7.根據權利要求4所述的設備，其進一步包括主體耦合到所述阱的額外晶體管。

8.根據權利要求4所述的設備，其中所述第二晶體管耦合到所述主字線且配置成響應于作用中ACT命令而在所述主字線處提供所述第一電位且響應于所述預充電命令而在所述主字線處提供所述第二電位。

9.一種方法，其包括：

在阱控制電路處提供電壓以對主字驅動器中的阱加偏壓以將主字線信號提供到耦合到所述主字驅動器的子字驅動器，其中所述主字驅動器包括至少第一晶體管，其中所述第一晶體管的主體和源極/漏極耦合到所述阱。

10.根據權利要求9所述的方法，其中對所述阱加偏壓包括將所述阱偏壓到第一電位，接著響應于預充電命令將所述阱偏壓到第二電位，其中所述第二電位低于所述第一電位。

11.根據權利要求10所述的方法，其進一步包括響應于所述預充電命令而將所述第二電位提供到第二晶體管的源極/漏極，其中所述第二晶體管的主體耦合到所述阱。

12.根據權利要求11所述的方法，其中將所述阱偏壓到所述第一電位是至少基于行主字線信號變為作用中且將所述阱偏壓到所述第二電位是至少基于所述預充電命令。

13.根據權利要求11所述的方法，其進一步包括對額外晶體管的主體加偏壓，其中所述額外晶體管的所述主體耦合到所述阱。

14.根據權利要求12所述的方法，其進一步包括在所述阱控制電路處：

至少基于第一控制信號和第二控制信號而提供所述第一電位和所述第二電位，其中：

所述第一控制信號響應于所述預充電命令而是作用中的；且

所述第二控制信號響應于作用中行主字線信號而是作用中的。

15.根據權利要求11所述的方法，其進一步包括響應于作用中激活命令而在所述主字線處提供所述第一電位且響應于所述預充電命令而在所述主字線處提供所述第二電位，其中所述第二晶體管耦合到所述主字線。