[發明專利]利用虛設存儲塊作為池電容器的非易失性存儲器件

有效

• 申請號: 202110409565.5
• 申請日: 2019-09-03
• 公開（公告）號: CN113130502B
• 公開（公告）日: 2022-11-22
• 發明（設計）人: 吳振勇
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11551
• 分類號: H01L27/11551;H01L27/11529;H01L27/11578;H01L27/11573;G11C16/04
• 代理公司: 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376
• 代理人: 林錦輝;劉景峰

1.一種非易失性存儲器件，包括：

多個存儲塊；

與所述多個存儲塊相鄰的至少一個虛設塊，其中，所述多個存儲塊中的每一個存儲塊包括：在襯底上的交替層堆疊體、在所述交替層堆疊體中的多個溝道孔、以及沿所述多個溝道孔設置的存儲單元串，其中，所述至少一個虛設塊包括在所述襯底上的交替虛設層堆疊體，并且其中，所述交替虛設層堆疊體包括交替層疊在彼此上的多個導電層和多個電介質層；以及

外圍電路區域，用于支持所述多個存儲塊的操作，其中，所述外圍電路區域包括用于抑制功率噪聲的多個池電容器，其中，所述虛設塊被配置為形成用于抑制功率噪聲的補充池電容器，

其中，所述多個存儲塊和所述至少一個虛設塊均位于存儲器陣列中。

2.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述多個存儲塊和所述至少一個虛設塊被分組到頁面中。

3.根據權利要求2所述的非易失性存儲器件，還包括頁面緩沖區域，所述頁面緩沖區域對應于所述頁面。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的非易失性存儲器件，其中，所述虛設塊和所述存儲塊具有相同的結構。

5.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述虛設塊還包括：

在所述虛設塊的兩個相對端處的階梯結構；以及

設置在所述階梯結構上并電連接到所述多個導電層的觸點。

6.根據權利要求5所述的非易失性存儲器件，其中，所述多個導電層經由設置在所述階梯結構上的所述觸點依次且交替地偏置到電源和地電位，從而在所述多個導電層之間形成電容器，其中，所述多個電介質層用作電容器電介質。

7.根據權利要求6所述的非易失性存儲器件，其中，所述電源包括內部電源或外部電源。

8.根據權利要求5所述的非易失性存儲器件，其中，所述多個導電層中的至少兩個相鄰的導電層經由設置在所述階梯結構上的所述觸點被偏置到相同的電源。

9.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述虛設塊設置在所述多個存儲塊的頁面中的每個頁面的邊緣處。

10.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述虛設塊被分成多個子塊。

11.一種非易失性存儲器件，包括：

多個存儲塊；以及

至少一個虛設塊，其被配置為形成用于抑制功率噪聲的池電容器，其中，所述至少一個虛設塊包括：襯底、在所述襯底上的導體區域、以及在所述導體區域上的交替虛設層堆疊體，并且其中，所述交替虛設層堆疊體包括交替層疊在彼此上的多個導電層和多個電介質層，

其中，所述多個存儲塊和所述至少一個虛設塊均位于存儲器陣列中。

12.根據權利要求11所述的非易失性存儲器件，還包括外圍電路區域，用于支持所述多個存儲塊的操作。

13.根據權利要求12所述的非易失性存儲器件，其中，所述外圍電路區域包括用于抑制功率噪聲的多個池電容器。

14.根據權利要求11或12所述的非易失性存儲器件，其中，所述虛設塊和所述存儲塊具有相同的結構。

15.根據權利要求11或12所述的非易失性存儲器件，其中，所述至少一個虛設塊與所述多個存儲塊相鄰。