[發明專利]形成半導體封裝件的方法

在審

• 申請號: 202110409550.9
• 申請日: 2021-04-16
• 公開（公告）號: CN114388374A
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 陳威宇;裴浩然;郭炫廷;曹智強;余人睿;鐘宇軒;張家綸;林修任;謝靜華
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/56
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成半導體封裝件的方法，包括：

形成再分布結構，所述再分布結構包括位于所述再分布結構的第一側上的第一金屬化圖案；

形成互連結構，所述互連結構包括位于所述互連結構的第一側上的第二金屬化圖案；

將所述互連結構接合至所述再分布結構，包括：

在所述第一金屬化圖案上沉積焊膏，其中，所述焊膏是第一材料；

在所述第二金屬化圖案上形成焊球，其中，所述焊球是不同于所述第一材料的第二材料；

將所述焊球放置為與所述焊膏物理接觸；

在使所述焊膏熔化的第一溫度下執行第一回流工藝；和

在執行所述第一回流工藝之后，在使所述焊膏熔化并且使所述焊球熔化的第二溫度下執行第二回流工藝，其中，所述第二溫度大于所述第一溫度；以及

在執行所述第二回流工藝之后，在所述再分布結構和所述互連結構之間沉積底部填充物。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述焊膏包括錫和鉍。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述焊球是無鉍的。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一溫度在140℃和180℃之間。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二溫度在210℃和250℃之間。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括將半導體器件連接至所述再分布結構的第二側。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，執行所述第一回流工藝在所述第一金屬化圖案和所述第二金屬化圖案之間形成臨時連接件，其中，所述臨時連接件包括接合至所述第二材料的區域的所述第一材料的區域。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，執行所述第二回流工藝在所述第一金屬化圖案和所述第二金屬化圖案之間形成連接件，其中，所述連接件具有均質組分。

9.一種形成半導體封裝件的方法，包括：

在再分布結構上形成焊膏的多個區域，其中，所述焊膏具有第一熔化溫度；

在互連結構上形成多個焊料凸塊，其中，所述焊料凸塊具有大于所述第一熔化溫度的第二熔化溫度；

將所述多個焊料凸塊放置在所述焊膏的所述多個區域上；

在第一回流溫度下執行第一回流工藝第一持續時間，其中，所述第一回流溫度小于所述第二熔化溫度；以及

在執行所述第一回流工藝之后，在第二回流溫度下執行第二回流工藝第二持續時間，其中，所述第二回流溫度大于所述第二熔化溫度。

10.一種形成半導體封裝件的方法，包括：

在第一封裝組件的第一接觸焊盤上沉積焊膏，其中，所述焊膏包括鉍；

在第二封裝組件的第二接觸焊盤上沉積焊料材料，其中，所述焊料材料沒有鉍；

在第一溫度下執行第一加熱工藝，所述第一加熱工藝將所述焊膏接合至所述焊料材料，其中，所述焊料材料在所述第一加熱工藝期間保持固體；以及

在執行所述第一加熱工藝之后，在第二溫度下執行第二加熱工藝，所述第二溫度使所述焊膏和所述焊料材料熔化以形成連接件，所述連接件接合所述第一接觸焊盤和所述第二接觸焊盤。