[發明專利]形成半導體封裝件的方法

在審

• 申請號: 202110409550.9
• 申請日: 2021-04-16
• 公開（公告）號: CN114388374A
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 陳威宇;裴浩然;郭炫廷;曹智強;余人睿;鐘宇軒;張家綸;林修任;謝靜華
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/56
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

形成半導體封裝件的方法包括：在再分布結構上形成焊膏的區域，其中，焊膏具有第一熔化溫度；在互連結構上形成焊料凸塊，其中，焊料凸塊具有大于第一熔化溫度的第二熔化溫度；將焊料凸塊放置在焊膏的區域上；在第一回流溫度下執行第一回流工藝第一持續時間，其中，第一回流溫度小于第二熔化溫度；以及在執行第一回流工藝之后，在第二回流溫度下執行第二回流工藝第二持續時間，其中第二回流溫度大于第二熔化溫度。

技術領域

本發明的實施例涉及形成半導體封裝件的方法。

背景技術

半導體工業通過不斷減小最小部件尺寸來不斷提高各種電子組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度，這允許將更多的組件(因此更多的功能)集成到給定區域。具有高功能要求的集成電路需要許多輸入/輸出焊盤。然而，對于其中小型化是重要的應用，小封裝件可能是期望的。

集成扇出(InFO)封裝技術正變得越來越流行，特別是當與晶圓級封裝(WLP)技術組合時，其中將集成電路封裝在通常包括再分布層(RDL)或后鈍化互連件的封裝件中，RDL或后鈍化互連件用于將用于封裝件的接觸焊盤的布線扇出，使得可以以比集成電路的接觸焊盤更大的節距制備電接觸件。這樣得到的封裝結構以相對較低的成本提供了高功能密度和高性能的封裝件。

發明內容

本發明的實施例提供了一種形成半導體封裝件的方法，包括：形成再分布結構，所述再分布結構包括位于所述再分布結構的第一側上的第一金屬化圖案；形成互連結構，所述互連結構包括位于所述互連結構的第一側上的第二金屬化圖案；將所述互連結構接合至所述再分布結構，包括：在所述第一金屬化圖案上沉積焊膏，其中，所述焊膏是第一材料；在所述第二金屬化圖案上形成焊球，其中，所述焊球是不同于所述第一材料的第二材料；將所述焊球放置為與所述焊膏物理接觸；在使所述焊膏熔化的第一溫度下執行第一回流工藝；和在執行所述第一回流工藝之后，在使所述焊膏熔化并且使所述焊球熔化的第二溫度下執行第二回流工藝，其中，所述第二溫度大于所述第一溫度；以及在執行所述第二回流工藝之后，在所述再分布結構和所述互連結構之間沉積底部填充物。

本發明的另一實施例提供了一種形成半導體封裝件的方法，包括：在再分布結構上形成焊膏的多個區域，其中，所述焊膏具有第一熔化溫度；在互連結構上形成多個焊料凸塊，其中，所述焊料凸塊具有大于所述第一熔化溫度的第二熔化溫度；將所述多個焊料凸塊放置在所述焊膏的所述多個區域上；在第一回流溫度下執行第一回流工藝第一持續時間，其中，所述第一回流溫度小于所述第二熔化溫度；以及在執行所述第一回流工藝之后，在第二回流溫度下執行第二回流工藝第二持續時間，其中，所述第二回流溫度大于所述第二熔化溫度。

本發明的又一實施例提供了一種形成半導體封裝件的方法，包括：在第一封裝組件的第一接觸焊盤上沉積焊膏，其中，所述焊膏包括鉍；在第二封裝組件的第二接觸焊盤上沉積焊料材料，其中，所述焊料材料沒有鉍；在第一溫度下執行第一加熱工藝，所述第一加熱工藝將所述焊膏接合至所述焊料材料，其中，所述焊料材料在所述第一加熱工藝期間保持固體；以及在執行所述第一加熱工藝之后，在第二溫度下執行第二加熱工藝，所述第二溫度使所述焊膏和所述焊料材料熔化以形成連接件，所述連接件接合所述第一接觸焊盤和所述第二接觸焊盤。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發明的各方面。應該注意，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1和圖2示出了根據一些實施例的形成再分布結構的中間步驟的截面圖。

圖3示出了根據一些實施例的互連結構的截面圖。

圖4和圖5示出了根據一些實施例的將互連結構接合至再分布結構的中間步驟的截面圖。

圖6A、圖6B和圖6C示出了根據一些實施例的將互連結構接合至再分布結構的中間步驟的截面圖。