[發明專利]半導體設備封裝和其制造方法

在審

• 申請號: 202110409004.5
• 申請日: 2021-04-16
• 公開（公告）號: CN113540042A
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: 林威達;王盟仁;郭宏成;黃文進
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

1.一種半導體設備封裝，其包括：

襯底，所述襯底具有表面；

導電元件，所述導電元件安置在所述襯底的所述表面上，其中所述導電元件具有背離所述襯底的上表面；以及

包封料，所述包封料安置在所述襯底的所述表面上并且覆蓋所述導電元件，其中所述導電元件的所述上表面從所述包封料暴露，

其中所述導電元件的所述上表面的粗糙度大于所述導電元件的側表面的粗糙度。

2.根據權利要求1所述的半導體設備封裝，其進一步包括：屏蔽層，所述屏蔽層覆蓋所述包封料和所述導電元件的所述上表面。

3.根據權利要求1所述的半導體設備封裝，其中所述包封料具有背離所述襯底的上表面，并且所述導電元件的所述上表面所處的高程高于所述包封料的所述上表面的高程或與所述包封料的所述上表面的高程基本上相同。

4.根據權利要求2所述的半導體設備封裝，其中所述屏蔽層與所述導電元件的所述側表面接觸。

5.根據權利要求1所述的半導體設備封裝，其中所述包封料包括從所述包封料的上表面凸出的填料。

6.根據權利要求2所述的半導體設備封裝，其中所述包封料包括延伸到所述屏蔽層中的第一填料。

7.根據權利要求1所述的半導體設備封裝，其中所述包封料具有鄰近所述包封料的上表面的第二填料和遠離所述包封料的所述上表面的第三填料，并且其中所述第二填料的大小大于所述第三填料的大小。

8.根據權利要求1所述的半導體設備封裝，其中所述導電元件是蓋。

9.根據權利要求1所述的半導體設備封裝，其進一步包括：半導體設備，所述半導體設備安置在所述襯底上并且由所述包封料覆蓋。

10.一種半導體設備封裝，其包括：

襯底，所述襯底具有表面；

導電元件，所述導電元件安置在所述襯底的所述表面上，其中所述導電元件具有背離所述襯底的上表面；以及

包封料，所述包封料安置在所述襯底的所述表面上并且覆蓋所述導電元件，其中所述導電元件的所述上表面從所述包封料暴露，并且所述包封料包括多個填料，

其中所述包封料具有第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分處于同一高程，并且所述第一部分比所述第二部分更靠近所述導電元件的側表面，并且其中所述包封料的所述第一部分中的所述填料的密度與所述包封料的所述第二部分中的所述填料的密度之間的相對差異百分比小于25％。

11.根據權利要求10所述的半導體設備封裝，其進一步包括：屏蔽層，所述屏蔽層覆蓋所述包封料和所述導電元件的所述上表面。

12.根據權利要求10所述的半導體設備封裝，其中所述包封料具有背離所述襯底的上表面，并且所述導電元件的所述上表面所處的高程高于所述包封料的所述上表面的高程或與所述包封料的所述上表面的高程基本上相同。

13.根據權利要求11所述的半導體設備封裝，其中所述屏蔽層與所述導電元件的側表面接觸。

14.根據權利要求10所述的半導體設備封裝，其中所述包封料包括從所述包封料的上表面凸出的第一填料。

15.根據權利要求11所述的半導體設備封裝，其中所述包封料包括延伸到所述屏蔽層中的第一填料。

16.根據權利要求10所述的半導體設備封裝，其中所述包封料具有第二填料和第三填料，并且所述包封料的上表面與所述第二填料之間的距離大于所述包封料的所述上表面與所述第三填料之間的距離，并且其中所述第二填料的大小小于所述第三填料的大小。