[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110408837.X
• 申請(qǐng)日: 2021-04-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113540037A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 方緒南;莊淳鈞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/544
• 分類號(hào): H01L23/544;H01L23/498;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)和一種用于制造半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的方法。所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包含第一鈍化層、第一金屬層和第一半導(dǎo)體裸片。所述第一金屬層嵌入于所述第一鈍化層中。所述第一金屬層界定第一穿孔。所述第一半導(dǎo)體裸片安置于所述第一鈍化層上。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)和一種方法，并且涉及一種包含對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)使用具有特殊輪廓的銅層作為半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。然而，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的側(cè)邊表面不是豎直平面，因此，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的邊緣可能會(huì)在電荷耦合設(shè)備(charge-coupled device，CCD)圖像中產(chǎn)生光暈。亦有使用例如通過(guò)蝕刻鈍化層形成的具有特殊輪廓的凹槽作為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。然而，銅自凹槽暴露于空氣，這使銅氧化為氧化銅，使得CCD無(wú)法識(shí)別對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記所在的位置。

另外，使用鍍敷工藝在經(jīng)蝕刻的鈍化層上構(gòu)建凸點(diǎn)。由于鍍敷工藝涉及翹曲(warpage)問(wèn)題，因此減少工藝窗口(process window)，因此焊球下落(ball drop)工藝代替了鍍敷工藝。然而，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記被襯墊隱藏，且因此使得焊球下落工藝難以執(zhí)行。因此，需要新的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)來(lái)解決以上問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

在一些實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包含第一鈍化層、第一金屬層和第一半導(dǎo)體裸片。所述第一金屬層嵌入于所述第一鈍化層中。所述第一金屬層界定第一穿孔。所述第一半導(dǎo)體裸片安置于所述第一鈍化層上。

在一些實(shí)施例中，一種用于制造半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的方法包含：(a)提供載體；(b)在所述載體上形成金屬層；(c)圖案化所述金屬層以形成暴露所述載體的一部分的穿孔；(d)在所述金屬層上形成鈍化層，所述鈍化層具有第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面；(e)移除所述載體；以及(f)在所述鈍化層的所述第一表面上接合第一半導(dǎo)體裸片。

附圖說(shuō)明

當(dāng)結(jié)合附圖閱讀時(shí)，從以下具體實(shí)施方式易于理解本公開(kāi)的一些實(shí)施例的各方面。應(yīng)注意，各種結(jié)構(gòu)可能未按比例繪制，且出于論述清楚起見(jiàn)，可任意增大或減小各種結(jié)構(gòu)的尺寸。

圖1說(shuō)明根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的實(shí)例的截面圖。

圖2說(shuō)明根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的實(shí)例的截面圖。

圖3說(shuō)明圖1的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記部分的實(shí)例的立體圖。

圖4說(shuō)明根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的實(shí)例的截面圖。

圖5說(shuō)明圖4的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的實(shí)例的立體圖。

圖6說(shuō)明從圖4的導(dǎo)電柱和對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的俯視圖看的CCD圖像的俯視圖。

圖7說(shuō)明圖6中所展示的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的實(shí)例的俯視圖。

圖8說(shuō)明根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的實(shí)例的俯視圖。

圖9說(shuō)明根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的從導(dǎo)電柱和對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的俯視圖看的CCD圖像的俯視圖。

圖10說(shuō)明根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的方法的實(shí)例的一或多個(gè)階段。

圖11說(shuō)明根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的方法的實(shí)例的一或多個(gè)階段。

圖12說(shuō)明根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的方法的實(shí)例的一或多個(gè)階段。

圖13說(shuō)明根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的方法的實(shí)例的一或多個(gè)階段。

圖14說(shuō)明根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的方法的實(shí)例的一或多個(gè)階段。

圖15說(shuō)明根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的方法的實(shí)例的一或多個(gè)階段。