[發明專利]一種自反饋型多環路全集成低壓差線性穩壓器電路

有效

• 申請號: 202110408418.6
• 申請日: 2021-04-16
• 公開（公告）號: CN113176802B
• 公開（公告）日: 2022-07-19
• 發明（設計）人: 郭建平;劉楠;鄭浩鑫
• 申請（專利權）人: 中山大學
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 深圳市創富知識產權代理有限公司 44367
• 代理人: 高冰

1.一種自反饋型多環路全集成低壓差線性穩壓器電路，其特征在于，包括功率管、偏置電流源、共源極PMOS、共柵極NMOS、輸出控制電壓源、偏置電壓源、補償電容、泄流晶體管和自反饋電路，所述自反饋電路包括采樣MOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，所述功率管的漏極與共源極PMOS的源極連接，所述功率管的源極、第一PMOS管的源極、第二PMOS管的源極相連并與電壓輸入端連接，所述第一PMOS管的柵極、第一PMOS管的漏極、第二PMOS管的柵極和采樣MOS管的漏極相連，所述補償電容的第一端、功率管的柵極、共柵極NMOS的漏極和第二PMOS管的漏極相連，所述泄流晶體管的漏極、補償電容的第二端、共源極PMOS的源極和功率管的漏極相連并與電壓輸出端連接，所述共柵極NMOS的柵極與偏置電壓源的正端連接，所述輸出控制電壓源與共源極PMOS的柵極連接，所述泄流晶體管的柵極、共源極PMOS的漏極、偏置電流源的正端、共柵極NMOS的源極和采樣MOS管的柵極相連，所述偏置電流源的負端、偏置電壓源的負端、泄流晶體管的源極和采樣MOS管的源極相連并接地。

2.根據權利要求1所述一種自反饋型多環路全集成低壓差線性穩壓器電路，其特征在于，所述第一PMOS管和第二PMOS管構成電流鏡，所述共源極PMOS和共柵極NMOS構成共源共柵極。