[發明專利]集成電路及其形成方法

有效

• 申請號: 202110407791.X
• 申請日: 2021-04-15
• 公開（公告）號: CN113206080B
• 公開（公告）日: 2023-07-21
• 發明（設計）人: 彭士瑋;林威呈;莊正吉;曾健庭
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L27/092;H01L21/8234;H01L21/8238
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種集成電路，包括：

條結構，具有前側和背側；

柵極結構，位于所述條結構的所述前側上；

多個溝道層，位于所述條結構的所述前側之上，其中，所述多個溝道層中的每個包圍在所述柵極結構內；

隔離結構，圍繞所述條結構；

背側通孔，位于所述隔離結構中；

外延結構，位于所述條結構的所述前側上；

接觸件，位于所述外延結構上方，其中，所述接觸件具有位于所述外延結構的第一側上的第一部分，并且所述接觸件的所述第一部分延伸至所述隔離結構中并且接觸所述背側通孔；以及

背側電源軌，位于所述條結構的所述背側上并且與所述背側通孔接觸。

2.根據權利要求1所述的集成電路，其中，最靠近所述條結構的所述前側的所述背側通孔的表面低于所述隔離結構的最頂部。

3.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述接觸件的所述第一部分位于所述條結構的側壁上。

4.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述接觸件的所述第一部分的表面與所述背側通孔和所述隔離結構接觸。

5.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述條結構包括介電材料和覆蓋所述介電材料的至少三個表面的介電襯墊。

6.根據權利要求5所述的集成電路，其中，所述介電襯墊位于所述介電材料和所述外延結構之間。

7.根據權利要求5所述的集成電路，其中，所述介電襯墊具有與所述接觸件的所述第一部分和所述隔離結構接觸的側壁。

8.根據權利要求5所述的集成電路，其中，所述電源軌沿著所述背側通孔的表面、所述介電襯墊的表面和所述介電材料的表面延伸。

9.一種集成電路，包括：

第一條結構；

第二條結構；

隔離結構，位于所述第一條結構和所述第二條結構之間；

背側通孔，位于所述隔離結構中；

第一外延結構，位于所述第一條結構上方；

第二外延結構，位于所述第二條結構上方；

第一接觸件，位于所述第一外延結構上方，其中，所述第一接觸件的第一部分沿著所述第一外延結構的第一側壁延伸；以及

第二接觸件，位于所述第二外延結構上方，其中，所述第一接觸件的所述第一部分的最底部位置位于所述第二接觸件的最底部位置下方。

10.根據權利要求9所述的集成電路，其中，所述第一接觸件的所述第一部分延伸至所述隔離結構中并且接觸所述背側通孔。

11.根據權利要求9所述的集成電路，其中，所述第二接觸件的最底部表面通過所述隔離結構與所述背側通孔分隔開。

12.根據權利要求9所述的集成電路，其中，所述第一接觸件具有沿著與所述第一外延結構的所述第一側壁相對的所述第一外延結構的第二側壁的第二部分，并且所述第一接觸件的所述第二部分的最底部位置位于所述第一接觸件的所述第一部分的最底部位置之上。

13.根據權利要求9所述的集成電路，還包括：

偽鰭，位于所述隔離結構上方并且位于所述第一外延結構與所述第二外延結構之間，其中，所述第一接觸件的所述第一部分的最底部位置位于所述偽鰭的最底部位置下方。

14.根據權利要求9所述的集成電路，還包括：

電源軌，位于所述背側通孔的底面上。