[發明專利]基板處理裝置

有效

• 申請號: 202110407441.3
• 申請日: 2021-04-15
• 公開（公告）號: CN113522883B
• 公開（公告）日: 2023-05-16
• 發明（設計）人: 松嶋大輔;出村健介;中村聰;神谷將也;中村美波
• 申請（專利權）人: 芝浦機械電子株式會社
• 主分類號: B08B7/00
• 分類號: B08B7/00;H01L21/67
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 李雪春;閻文君

1.一種基板處理裝置，具備：

放置臺，能夠使基板進行旋轉，所述基板具有第1面和與所述第1面相反的第2面；

冷卻部，能夠向所述放置臺與所述基板之間的空間供給冷卻氣體；

第1液體供給部，能夠向所述基板的所述放置臺側的所述第1面相反的所述第2面供給第1液體；

第2液體供給部，能夠向所述基板的所述第2面供給導電率高于所述第1液體的第2液體；

及控制部，對所述基板的旋轉、所述冷卻氣體的供給、所述第1液體的供給、所述第2液體的供給進行控制，其特征為，

所述控制部對所述冷卻氣體的供給、所述第1液體的供給、所述第2液體的供給進行控制，

由此執行：準備工序，向所述基板的所述第2面供給所述第2液體，向所述放置臺與所述基板之間的空間供給所述冷卻氣體；

液膜形成工序，在所述準備工序之后，向所述基板的所述第2面供給所述第1液體來形成液膜；

過冷卻工序，使位于所述基板的所述第2面的所述液膜處于過冷卻狀態；

及凍結工序，使位于所述基板的所述第2面的所述液膜的至少一部分發生凍結，

所述基板處理裝置的特征在于，

所述控制部在所述液膜形成工序中，使所述基板進行旋轉而排出供向所述基板的所述第2面的所述第2液體的至少一部分，向所述第2液體已被排出的所述基板的所述第2面供給所述第1液體。

2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征為，所述控制部在所述液膜形成工序中，在排出所述第2液體時使一部分殘留，向所述殘留的所述第2液體上供給所述第1液體。

3.根據權利要求2所述的基板處理裝置，其特征為，所述殘留的所述第2液體覆蓋所述基板的所述第2面。

4.根據權利要求2所述的基板處理裝置，其特征為，所述殘留的所述第2液體的膜的厚度為在所述液膜形成工序中形成的液膜的厚度的10％以下。

5.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征為，所述控制部還執行向位于所述基板的所述第2面的凍結的所述液膜供給所述第2液體而解凍凍結的所述液膜的解凍工序。

6.根據權利要求4所述的基板處理裝置，其特征為，所述控制部還執行向位于所述基板的所述第2面的凍結的所述液膜供給所述第2液體而解凍凍結的所述液膜的解凍工序。

7.根據權利要求1～6中任意一項所述的基板處理裝置，其特征為，所述第2液體是溶解有溶解時發生離子化的氣體的液體。

8.根據權利要求1～6中任意一項所述的基板處理裝置，其特征為，所述控制部在所述液膜形成工序中，使所述基板進行旋轉而排出供向所述基板的所述第2面的所述第2液體的至少一部分，之后做成低于所述準備工序的轉速的第1轉速，之后向所述基板的所述第2面供給所述第1液體。